為進(jìn)一步鞏固功率半導(dǎo)體市場競爭優(yōu)勢，昨日，英飛凌（Infineon）宣布將大幅提升寬能隙（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體的產(chǎn)能，欲斥資逾20 億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個(gè)廠區(qū)。建成之后，新廠區(qū)將用于生產(chǎn)碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20 億歐元收入。

英飛凌營運(yùn)長Jochen Hanebeck 表示，再生能源和電動(dòng)汽車是推動(dòng)功率半導(dǎo)體市場持續(xù)強(qiáng)勁增長的主要驅(qū)動(dòng)力，英飛凌透過擴(kuò)大碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，為迎接寬能隙半導(dǎo)體市場的快速發(fā)展做好準(zhǔn)備。

此次擴(kuò)建是英飛凌根據(jù)長期戰(zhàn)略而做出的決策，居林工廠的投資擴(kuò)產(chǎn)將進(jìn)一步強(qiáng)化公司整體的競爭優(yōu)勢。目前英飛凌已向3,000 多個(gè)客戶提供基于碳化硅的半導(dǎo)體產(chǎn)品，這些產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，為客戶創(chuàng)造了更高的價(jià)值。

英飛凌表示，目標(biāo)至本世紀(jì)20 年代中期，碳化硅功率半導(dǎo)體的銷售額將提升至10 億美元；同時(shí)，氮化鎵市場預(yù)計(jì)也將迎來激增。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)研究，氮化鎵將從2020 年的4,700 萬美元增至2025 年的8.01 億美元，年復(fù)合成長率為76%。

英飛凌進(jìn)一步表示，居林新廠區(qū)滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)之后，將創(chuàng)造900 個(gè)高價(jià)值型就業(yè)機(jī)會(huì)。新廠區(qū)將于今年6 月開始施工，在2024 年夏季進(jìn)行設(shè)備安裝。首批晶圓將于2024 年下半年開始出貨，對(duì)居林工廠的新增投資主要用于磊晶制程和晶圓切割等具有高附加值的環(huán)節(jié)。

至于奧地利菲拉赫工廠，英飛凌指出，在未來幾年將透過改造現(xiàn)有的硅晶圓制造設(shè)備，進(jìn)一步強(qiáng)化其做為寬能隙半導(dǎo)體技術(shù)全球能力中心和創(chuàng)新基地的角色。透過重新利用非專用的硅晶圓生產(chǎn)設(shè)備，將6 吋和8 吋的硅晶圓生產(chǎn)線轉(zhuǎn)做為碳化硅和氮化鎵元件的生產(chǎn)線；菲拉赫工廠目前正為迎接進(jìn)一步的成長做準(zhǔn)備。