英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。公司將斥資逾20億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之后，新廠區將用于生產碳化硅和氮化鎵功率半導體產品，每年可為英飛凌創造20億歐元的收入。

此次擴建是英飛凌根據公司半導體生產制造長期戰略而做出的決策，居林工廠在200毫米晶圓生產方面所取得的規模經濟效應為該項目打下了良好的基礎。英飛凌位于菲拉赫和德累斯頓的300毫米晶圓廠奠定了公司在半導體市場的領導地位。居林工廠的投資擴產將進一步鞏固和提升這一領先地位，強化公司整體的競爭優勢。這種競爭優勢的形成主要依托于英飛凌“從產品到系統”的戰略方針，以及在該方針指導下所實現的技術領先性、全面的產品組合以及對應用的深刻理解。

英飛凌科技首席運營官Jochen Hanebeck表示：“創新技術和綠色電能的應用，是降低碳排放的關鍵。可再生能源和電動汽車是推動功率半導體市場持續強勁增長的主要驅動力。英飛凌通過擴大碳化硅和氮化鎵功率半導體的產能，為迎接寬禁帶半導體市場的快速發展做好準備。我們正在將位于菲拉赫的開發能力中心與居林工廠高成本效益的寬禁帶功率半導體生產制造進行有機結合。”

兩家擁有寬禁帶半導體量產能力的工廠將增強供應鏈彈性

目前，英飛凌已向3,000多家客戶提供基于碳化硅的半導體產品。這些半導體產品在效率、尺寸和成本方面具有比硅基半導體更優異的系統性能，被廣泛應用于各個領域，為客戶創造了更高的價值。英飛凌秉承“從產品到系統”的戰略方針，擁有領先的基礎技術、豐富的產品組合與封裝工藝，以及無與倫比的應用專長，推動了碳化硅半導體在工業電源、光伏、交通運輸、驅動、汽車和電動車充電等核心領域的應用。英飛凌計劃到本世紀20年代中期，將碳化硅功率半導體的銷售額提升至10億美元。同時，氮化鎵市場預計也將迎來激增，從2020年的4,700萬美元增至2025年的8.01億美元（年復合增長率：76%；數據來源：Yole發布的2021年第三季度化合物半導體市場監測報告）。英飛凌對系統和應用的理解始終處在行業最前沿，擁有全面的氮化鎵知識產權組合，以及強大的研發實力。

居林新廠區滿負荷運轉之后，將創造900個高價值型就業崗位。新廠區將于今年6月開始施工，在2024年夏季進行設備安裝。首批晶圓將于2024年下半年開始出貨。對居林工廠的新增投資主要用于外延工藝和晶圓切割等具有高附加值的環節。

馬來西亞高級部長、國際貿易與工業部長拿督斯里莫哈末·阿茲敏·阿里表示：“在英飛凌遍布全球的業務網絡中，馬來西亞是非常重要的地區樞紐之一。英飛凌此次擴大投資，也切實證明了馬來西亞具備有利的生態系統和本土人才可以支持業務的長期增長。政府將通過馬來西亞投資發展局（MIDA），持續與戰略投資者密切合作，以鞏固馬來西亞作為區域重要半導體產業樞紐的突出地位。”

菲拉赫將進一步強化其寬禁帶半導體技術全球能力中心的角色

未來幾年，菲拉赫工廠將通過改造現有的硅晶圓制造設備，進一步強化其作為寬禁帶半導體技術全球能力中心和創新基地的角色。通過重新利用非專用的硅晶圓生產設備，將6英寸和8英寸的硅晶圓生產線轉變為碳化硅和氮化鎵器件的生產線。菲拉赫工廠目前正為迎接進一步的增長機會做準備。