據悉Intel方面將改變此前的芯片制造工藝命名規則,以能效比對標臺積電,對它的芯片制造工藝進行重新命名,以求在芯片制造工藝方面實現對臺積電的反超。

Intel首先會將當下的10nm工藝改進版命名為7nm工藝,據悉Intel的10nm工藝改進版的每瓦特性能可望提升10%-15%,在性能方面其實足以對標臺積電的7nm工藝。

Intel如此做在于它在芯片制造工藝的命名上吃了虧,它對于芯片制造工藝的命名嚴格遵循了摩爾定律,即約每隔18-24個月便會增加一倍,性能也將提升一倍,對于芯片制造工藝的升級試圖嚴格遵循這一規律,而臺積電和三星自14/16nm工藝之后就已不再遵循這一規則,而是僅僅以晶體管gate長度來命名先進工藝,在性能方面的提升已遠不如此前的芯片制造工藝。

正是由于臺積電和三星在先進工藝的命名上的激進態度,它們的先進工藝不斷演進,而試圖嚴格遵守摩爾定律的Intel則卡在性能提升方面而無法如期推進它的10nm、7nm工藝的量產,這也被業界吐槽臺積電和三星在先進工藝方面玩弄了數字游戲。

業界猜測,在先進工藝制程命名方面,三星可能更為激進,它的5nm工藝可能遠不如臺積電的5nm工藝,估計也是因為三星的5nm工藝性能未能達到預期,導致它代工的高通驍龍888芯片出現發熱問題。

其實早在臺積電推出10nm工藝的時候,Intel就曾列出它的14nm工藝改進版與臺積電的10nm工藝的參數對比,不過業界對此反映冷淡,此后臺積電每1-2年就升級一代工藝,先后投產了7nm、5nm工藝,而Intel的10nm則延遲了5年時間至2019年才投產,如今Intel的7nm工藝又再次延遲到2021年投產,在芯片制造工藝的研發上顯然落后于臺積電的進展。

針對臺積電、三星和Intel的芯片制造工藝差距,日前臺灣媒體digitimes就曾對三家企業的芯片制造工藝做了對比,它主要以晶體管密度(每平方毫米晶體管數量)作為參考指標,對比了三家企業的10nm、7nm、5nm、3nm、2nm,其中Intel的5nm和3nm為預估值,臺積電和三星的3nm、2nm工藝為預估值。

digitimes的分析認為,在10nm工藝上,Intel的晶體管密度就已領先于三星和臺積電,此后雙方的差距在的差距逐漸拉大。據digitimes的分析,它認為就晶體管密度而言,臺積電和三星的7nm工藝還稍微落后于Intel的10nm工藝,到了5nm工藝上三星又與臺積電拉開了差距,它認為三星的3nm工藝才接近臺積電的5nm工藝和Intel的7nm工藝。

顯然如今Intel似乎吸取了這種營銷的教訓,對芯片制造工藝的命名作出了修改,除了將10nm工藝改進版命名為7nm工藝之外,它將到明年投產的原7nm工藝則命名為4nm工藝。

Intel、臺積電和三星三家芯片制造廠對芯片制造工藝的命名游戲,凸顯出三家芯片制造企業的激烈競爭關系,只是Intel如今修改芯片制造工藝的命名規則勢必會引發巨大的爭議,而臺積電和三星會不會也因此而修改命名規則,比賽下各自的數字游戲呢?