根據瑞銀（UBS）近日的一份報告，中國半導體設備龍頭企業北方華創（NAURA）在90:1高縱橫比（High Aspect Ratio, HAR）深孔刻蝕技術上取得重大進展，將有望支持300層以上3D NAND閃存的制造。

3D NAND技術是當前存儲芯片發展的核心方向。為提升存儲密度，廠商不斷堆疊存儲單元層數——從早期的64層、128層，到如今的200層以上，并加速向300層甚至更高演進。

這如同建造一座數百層的“摩天大樓”，而要讓每一層之間實現電氣連通，就必須通過深孔刻蝕設備在幾微米厚的多層材料中垂直打通直徑僅幾十納米的“電梯井”。隨著層數增加、孔徑縮小，深寬比（即深度與直徑之比）迅速攀升。

對于300層以上的NAND，深寬比需達到90:1甚至100:1，這對刻蝕精度、均勻性、垂直度和工藝穩定性提出了極致要求，被公認為半導體制造中最苛刻的工藝之一。

長期以來，此類高端刻蝕設備市場由美國泛林（Lam Research）、日本東京電子（TEL）等國際巨頭壟斷。然而，在美國對華實施半導體設備出口管制、先進存儲與成熟制程設備遭禁運的背景下，國產替代已從“可選項”變為“必選項”。北方華創此次技術進展，正是在這一戰略窗口期的關鍵突破。

值得一提的是，國內另一家刻蝕龍頭中微公司此前已宣布實現90:1深孔刻蝕能力，并正攻關100:1技術。

瑞銀分析指出，若北方華創成功獲得國內NAND晶圓廠訂單，將打開數億乃至數十億美元的新增市場空間。同時，考慮到中國本土邏輯芯片廠商對先進制程設備需求持續旺盛，其來自邏輯客戶的收入亦有進一步增長潛力。

基于此，瑞銀已將北方華創2026年和2027年的晶圓廠設備（WFE）收入預測分別上調1%和8%。

事實上，北方華創的布局遠不止于NAND。12月4日，公司在投資者互動平臺透露，隨著HBM（高帶寬內存）市場需求爆發，相關工藝設備需求激增。公司已在HBM芯片制造領域提供深硅刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法清洗、電鍍等多款核心設備，形成完整解決方案。

同時，面對投資者關于“美系設備斷供下訂單情況”的提問，公司回應稱：“存儲設備和成熟制程設備訂單保持良好態勢，產品已廣泛應用于國內主流芯片廠商生產線。”

當前，AI、云計算等新興應用正推動存儲芯片進入新一輪擴產周期，行業供需缺口明顯。據業內預測，2025—2027年全球HBM產能將增長超300%，而中國作為全球最大存儲消費市場，本土化制造需求迫切。北方華創等國產設備商正站在歷史性機遇的風口。

責編：Jimmy.zhang