三星電子與SK海力士已率先縮減NAND Flash晶圓產(chǎn)量。SK海力士2025年NAND晶圓出貨量預(yù)計從2024年的201萬顆降至180萬顆，降幅近10%。三星電子則通過內(nèi)部調(diào)整產(chǎn)能結(jié)構(gòu)，減少庫存并為價格談判創(chuàng)造空間。報道引述業(yè)內(nèi)人士稱，此舉旨在“推高合約價格并穩(wěn)定利潤率”，尤其在市場出現(xiàn)價格回升跡象的背景下。
據(jù)韓國《朝鮮日報》（ChosunBiz）報道，全球主要存儲芯片廠商包括三星電子、SK海力士、鎧俠及美光科技，正計劃于2025年下半年集體削減產(chǎn)量，以推動市場價格回升。此舉被視為行業(yè)擺脫兩年價格低迷、邁向周期性復(fù)蘇的關(guān)鍵信號。
韓媒披露：韓國廠商主動控產(chǎn)穩(wěn)價
三星電子與SK海力士已率先縮減NAND Flash晶圓產(chǎn)量。SK海力士2025年NAND晶圓出貨量預(yù)計從2024年的201萬顆降至180萬顆，降幅近10%。三星電子則通過內(nèi)部調(diào)整產(chǎn)能結(jié)構(gòu)，減少庫存并為價格談判創(chuàng)造空間。報道引述業(yè)內(nèi)人士稱，此舉旨在“推高合約價格并穩(wěn)定利潤率”，尤其在市場出現(xiàn)價格回升跡象的背景下。
《朝鮮日報》報道稱，去年價格長期徘徊在成本水平的三星電子、SK海力士和鎧俠正致力于推動NAND價格上漲。據(jù)悉，三星電子在與主要海外客戶商討明年NAND供應(yīng)量的同時，內(nèi)部正在審議20%至30%甚至更高幅度的漲價方案。
根據(jù)市場研究機構(gòu)Omdia12日發(fā)布的年度NAND閃存產(chǎn)量數(shù)據(jù)，三星電子已將今年NAND晶圓產(chǎn)量目標下調(diào)至約472萬片，較上年度的507萬片減少約7%。鎧俠的產(chǎn)量也從去年的480萬片調(diào)整至今年的469萬片。Omdia預(yù)計，三星電子和鎧俠的減產(chǎn)態(tài)勢將持續(xù)到明年。
SK海力士和美光也采取保守策略限制產(chǎn)量，以期從價格上漲中獲益。美光情況類似，其最大的NAND生產(chǎn)基地——新加坡Fab 7工廠的產(chǎn)量維持在30萬片左右的較低水平，供應(yīng)策略保守。
價格回升趨勢顯現(xiàn)
隨著主要供應(yīng)商協(xié)同控制產(chǎn)量，NAND產(chǎn)品的平均售價（ASP）正急劇上升。海外市場研究機構(gòu)觀察顯示，僅上一季度就上漲15%的NAND價格，未來可能再飆升40%至50%以上。根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)，應(yīng)用最廣泛的512Gb三層單元（TLC）NAND芯片的晶圓現(xiàn)貨價格較前一周上漲14.2%，達到5.51美元。現(xiàn)貨價格反映流通市場的即時交易價格，其上漲意味著產(chǎn)品獲取難度增加。
基于TLC的NAND供應(yīng)量萎縮，也意味著主要NAND供應(yīng)商正將重心轉(zhuǎn)向利潤率更高的QLC而非TLC。QLC和TLC指的是NAND閃存基本存儲單元（Cell）所能存儲的比特數(shù)。TLC每單元存儲3比特，而QLC每單元可存儲4比特。在相同面積下，QLC能比TLC多提供30%的容量，這對于制造AI數(shù)據(jù)中心所需的大容量固態(tài)硬盤（SSD）更為有利。
一位行業(yè)人士解釋道：“在將現(xiàn)有基于TLC的NAND生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為AI數(shù)據(jù)中心SSD所必需的QLC工藝過程中，部分TLC NAND生產(chǎn)設(shè)備會暫停，這在四大供應(yīng)商中都自然產(chǎn)生了減產(chǎn)效應(yīng)。”他補充說，“在設(shè)備轉(zhuǎn)換和工藝過渡期間產(chǎn)生的產(chǎn)量‘損失’導(dǎo)致市場價格飆升，這是行業(yè)慣例。”
TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示，盡管2026年DRAM與NAND Flash的資本支出預(yù)計將繼續(xù)增長（DRAM資本支出預(yù)計增至613億美元，年增14%；NAND Flash資本支出預(yù)計增至222億美元，年增約5%），但投資重心已從傳統(tǒng)的產(chǎn)能擴張，轉(zhuǎn)向制程技術(shù)升級、高層數(shù)堆棧、混合鍵合以及HBM（高帶寬內(nèi)存）等高附加價值產(chǎn)品。這種轉(zhuǎn)變，加之無塵室空間不足等物理限制，導(dǎo)致新增資本對實際位元產(chǎn)出增長的貢獻非常有限。各大廠商策略分化明顯，例如美光、SK海力士和三星的資本支出主要投向HBM4、1 gamma等先進制程；而鎧俠/閃迪則因?qū)Ｗ⒂贜AND業(yè)務(wù)，在擴產(chǎn)上相對積極。
這種結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變意味著2026年存儲市場的供不應(yīng)求狀態(tài)很可能將持續(xù)全年。驅(qū)動需求的核心因素是AI應(yīng)用對存儲容量需求的急速攀升（如AI服務(wù)器需求爆發(fā)）以及HDD供應(yīng)短缺導(dǎo)致的替代效應(yīng)。因此，當前的供應(yīng)緊張并非短期波動，而是由AI驅(qū)動的一次結(jié)構(gòu)性短缺，預(yù)示著存儲市場可能進入一個由高附加值產(chǎn)品和技術(shù)升級主導(dǎo)的新周期。
監(jiān)管與市場風(fēng)險仍待觀察
此前有報道稱，總部位于美國的閃迪（SanDisk）從本月起已將NAND產(chǎn)品合約價格上調(diào)了約50%。由于北美大型科技公司擔憂NAND價格大幅上漲而進行“恐慌性采購”，有分析認為明年的NAND供應(yīng)量或已被預(yù)訂一空。
三星、SK海力士等巨頭通過“戰(zhàn)略性減產(chǎn)”推動價格反彈，旨在擺脫兩年利潤低谷。
盡管減產(chǎn)有助于廠商恢復(fù)盈利，但全球監(jiān)管機構(gòu)可能關(guān)注是否存在“協(xié)同行為”。四大廠商合計掌握90%以上DRAM與NAND產(chǎn)能，其同步控產(chǎn)或引發(fā)供應(yīng)波動。歐盟與美國此前已在半導(dǎo)體價格協(xié)調(diào)領(lǐng)域展開調(diào)查，若價格飆升過快，或觸發(fā)監(jiān)管介入。
責(zé)編：Amy.wu
