今年9月，臺積電確認關閉新竹科學園區(qū)6英寸二廠，并對新竹8英寸三廠(Fab 3、Fab 5、Fab 8)進行產(chǎn)能整合，約30%員工調(diào)往南部先進制程廠區(qū)。這部分6英寸產(chǎn)能主要服務于汽車電子、消費電子的低階芯片，受全球汽車芯片需求波動影響，近年產(chǎn)能利用率長期低于70%，且設備折舊已近尾聲，關停后可節(jié)省約12%的單廠運營成本。

同時，臺積電宣布兩年內(nèi)退出氮化鎵（GaN）代工業(yè)務，該業(yè)務屬于成熟制程延伸領域，但臺積電在全球GaN代工市場份額不足5%，且面臨穩(wěn)懋、英飛凌的激烈競爭，2024 年相關營收僅占總營收0.8%。

受美國撤銷南京廠“經(jīng)驗證最終用戶”(VEU)授權(quán)影響，臺積電南京廠16nm、28nm 產(chǎn)能面臨設備補給難題，不過臺積電強調(diào)“正與美方溝通”，短期內(nèi)仍將維持運營。

2025年數(shù)據(jù)顯示，7nm及以下先進制程貢獻臺積電63%的營收，其中3nm制程產(chǎn)能利用率達100%，2nm制程未量產(chǎn)已獲蘋果、高通等核心客戶訂單，預計量產(chǎn)后四年內(nèi)設計案數(shù)量將超3nm、5nm總和。相比之下，成熟制程毛利率不足30%，自然成為資源調(diào)配的優(yōu)先壓縮項。

臺積電的收縮為競爭對手創(chuàng)造了機會。目前，聯(lián)電、中芯國際已針對性擴產(chǎn)28nm、40nm 產(chǎn)能，2025年聯(lián)電成熟制程營收同比增長18%，主要來自原臺積電的汽車芯片客戶。中芯國際則借助大陸汽車電子需求，將14nm/28nm產(chǎn)能利用率提升至85%。

2nm量產(chǎn)在即，1.4nm研發(fā)加速

在成熟制程進行結(jié)構(gòu)性收縮的同時，臺積電在7nm及以下節(jié)點已形成“3nm規(guī)模出貨、2nm試量產(chǎn)啟動、1.4nm研發(fā)攻堅”的技術(shù)梯隊，疊加先進封裝產(chǎn)能擴張，持續(xù)領跑全球半導體制造賽道。

按照臺積電總裁魏哲家2025年10月公開表態(tài)，2nm制程已順利進入試量產(chǎn)階段，良率表現(xiàn)“符合預期”，計劃2026年實現(xiàn)快速量產(chǎn)。該工藝延續(xù)FinFET架構(gòu)改良路線，通過引入更先進的多重曝光技術(shù)，相較3nm制程實現(xiàn)芯片面積縮減5%、能效提升15% 的性能突破。

產(chǎn)能布局上，新竹寶山20廠與高雄22廠已完成設備安裝調(diào)試，2025年底月產(chǎn)能將提升至5萬片，單晶圓售價高達3萬美元，創(chuàng)行業(yè)紀錄?？蛻舴矫?，蘋果獨占近半數(shù)產(chǎn)能，將用于2026年iPhone 18系列搭載的A20芯片；高通、AMD、聯(lián)發(fā)科、英特爾等企業(yè)也已鎖定產(chǎn)能配額，形成覆蓋消費電子與高性能計算（HPC）的多元化需求矩陣。

作為當前主力先進制程，3nm在2025年三季度的營收占比已達23%，產(chǎn)能利用率持續(xù)維持100%飽和狀態(tài)。除傳統(tǒng)高端手機SoC外，英偉達GB200等新一代AI加速器已部分采用3nm工藝，通過高密度晶體管集成實現(xiàn)算力與能效的雙重優(yōu)化。

為應對旺盛需求，臺積電計劃2026年將3nm月產(chǎn)能從當前的12萬片提升至15萬片，并同步推出N3E（增強版）工藝，進一步降低功耗10%，主要面向數(shù)據(jù)中心客戶。

與此同時，臺積電已啟動1.4nm工藝研發(fā)攻堅，預計2027-2028年間實現(xiàn)量產(chǎn)。該制程將可能采用全新的晶體管架構(gòu)，使芯片面積將較2nm再縮減 5%，但面臨設備投入與工藝復雜度激增的挑戰(zhàn)——單臺High-NA EUV光刻機采購成本已突破3.5億美元，研發(fā)總投入預計超50億美元。

行業(yè)分析師預計，臺積電將于2026年1月起上調(diào)5納米以下制程的芯片價格。TrendForce消息人士稱，該公司已于去年9月通知其主要客戶。平均價格將上漲3%至4%，但來自臺灣的報道顯示，最先進的制程節(jié)點價格漲幅可能高達10%。

此外，從2026年1月起，2nm制程節(jié)點的價格將連續(xù)四年上漲。到2030年，最先進制程節(jié)點的累計漲幅可能達到兩位數(shù)，這將影響人工智能、高性能計算和其他高要求應用領域所用尖端芯片的成本。

責編：Lefeng.shao