“最近內(nèi)存漲價實在太多?！毙∶准瘓F創(chuàng)始人雷軍在微博上回應K90系列價格爭議時坦言。10月23日，Redmi發(fā)布K90系列手機，全系售價較上一代上調(diào)300-600元不等，其中同運存不同存儲版本價差高達600元，引發(fā)用戶討論。 

面對市場反饋，小米迅速調(diào)整策略，宣布K90標準版12GB+512GB版本在首銷月內(nèi)直降300元，售價調(diào)整為2899元。小米集團總裁盧偉冰表示：“來自上游的成本壓力，已真實傳導到了新品定價上。我們無法改變?nèi)蚬湹淖邉?，存儲成本上漲遠高于預期，且會持續(xù)加劇。” 

價格爭議與廠商應對 

Redmi K90系列發(fā)布后，細心的消費者迅速發(fā)現(xiàn)了價格異常。K90標準版12GB+256GB版本售價2599元，而12GB+512GB版本定價3199元，相同運存下僅存儲空間增加256GB，價差卻達600元。 

這一明顯價差迅速引發(fā)用戶討論。許多消費者認為12GB+512GB版本的定價過高，內(nèi)存提升與價格不匹配。

在爭議發(fā)酵后24小時內(nèi)，小米管理層迅速回應。盧偉冰在微博宣布了降價決定，強調(diào)12GB+512GB是“用戶需求量最大，也是用戶關(guān)注度較高的版本”。

雷軍隨后轉(zhuǎn)發(fā)該微博，將價差問題歸結(jié)于內(nèi)存漲價。 

調(diào)整后，K90標準版各版本售價為：12GB+256GB售價2599元，16GB+256GB售價2899元，12GB+512GB售價2899元（首銷月特價），16GB+512GB售價3499元，16GB+1TB版售價3999元。 

存儲芯片市場的全球性漲勢 

此次紅米K90系列的定價爭議背后是全球存儲芯片價格的大幅上漲。據(jù)供應鏈消息，三星電子、SK海力士、美光等主要內(nèi)存供應商計劃在第四季度繼續(xù)上調(diào)存儲芯片報價，漲幅可能高達30%。 

CFM閃存市場報道指出，上月以來，在原廠控貨與漲價雙重驅(qū)動下，現(xiàn)貨Flash Wafer價格強勢上漲，短短一個半月時間里，1Tb Flash Wafer價格累計漲近15%，512Gb Flash Wafer更是漲超20%。拉長時間周期來看，目前NAND資源價格幾乎已與去年同期持平甚至已超過該水平。在原廠供應干預下，現(xiàn)貨貿(mào)易端包括NAND和DRAM在內(nèi)的所有資源價格快速上漲。在上游資源日益走高且供應收緊的影響下，相對應的產(chǎn)品生產(chǎn)成本大幅走高，服務器、手機、PC等各應用端的存儲成品全面掀起漲價潮。

花旗集團和摩根士丹利的半導體行業(yè)分析報告預測，第四季度DRAM平均售價將上漲25%-26%，較上一季度漲幅超過10個百分點。 

AI和高性能計算需求的爆發(fā)是推動存儲芯片漲價的主要因素。摩根士丹利預測，今年谷歌、亞馬遜、Meta、微軟等科技巨頭在人工智能基礎(chǔ)設(shè)施上的投入將達到4000億美元，創(chuàng)造了存儲芯片的海量需求。 

同時，存儲巨頭正將產(chǎn)能重點轉(zhuǎn)向利潤更高的高端產(chǎn)品。全球第二大存儲模組廠威剛董事長陳立白表示，當前DRAM、NAND閃存、SSD和機械硬盤四大存儲類別全面缺貨漲價的局面，在其三十余年的行業(yè)生涯中前所未見。

可見當前市場的極端性，也揭開了存儲行業(yè)從“過剩寒冬” 到 “缺貨牛市”的劇烈轉(zhuǎn)折。

波及整個手機行業(yè)的漲價潮 

Redmi K90系列并非個例，近期發(fā)布的多款旗艦手機均面臨漲價壓力。vivo X300系列定價有100至300元的漲幅；OPPO Find X9系列有200至300元的漲幅；真我GT8系列則漲價了300至500元。 iQOO 15系列起售價也從3999元升至4199元，漲幅約5%。

中低端手機對成本的敏感度更高。真我中國區(qū)總裁徐起坦言，對于iQOO來說一個是屏幕，另外一個就是存儲，漲價不但影響到新品在首發(fā)期的價格，也會影響到后續(xù)的全生命周期，比如大促期間的價格。之前發(fā)一個產(chǎn)品，用戶會等到618或者之后的大促去購買，覺得這段時間有比較大的優(yōu)惠力度，但是今年因為存儲的原因，價格下探的力度會小很多很多，這樣會把整個產(chǎn)品生命周期的銷售節(jié)奏、備貨，以及我們新的Z系列的機型都會受到影響?！?/span>

結(jié)構(gòu)性供需失衡推動價格飆升 

本次存儲芯片漲價潮存在明顯的結(jié)構(gòu)性特征。AI服務器對存儲芯片的消耗量巨大，單臺AI服務器所需的DRAM容量是普通服務器的8倍，NAND容量需求也達到3倍。 

隨著北美云服務提供商大規(guī)模建設(shè)AI數(shù)據(jù)中心，對服務器、CPU、GPU和存儲芯片的需求激增，進一步擠壓了手機嵌入式存儲的產(chǎn)能分配。基于服務器應用對NAND和DRAM的產(chǎn)能分配優(yōu)先，手機嵌入式存儲供應較為有限。 

同時，DDR4/LPDDR4X等舊制程產(chǎn)品供應緊張。2025年4月開始，海外主要存儲原廠接連宣布停產(chǎn)DDR4、LPDDR4X等舊制程DRAM產(chǎn)品，但下游市場對這些產(chǎn)品仍有大量長尾需求。 

存儲巨頭們加速向高端芯片轉(zhuǎn)型，逐步減少乃至停產(chǎn)DDR4內(nèi)存顆粒，將產(chǎn)能全面轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM和DDR5等。這種結(jié)構(gòu)性供需失衡短期內(nèi)難以緩解。 

全球存儲芯片漲價潮已全面波及消費電子行業(yè)。據(jù)報道，威剛董事長預測第四季度才是存儲大多頭的真正起點和嚴重缺貨的開始。 存儲芯片作為數(shù)字時代的“水電煤”，其價格波動直接影響整個科技產(chǎn)業(yè)鏈。對于手機廠商而言，如何在“高投入、高定價、高體驗”的新階段平衡成本與市場需求，將成為未來一年的核心挑戰(zhàn)。 

隨著AI熱潮持續(xù)，存儲芯片市場的供需失衡狀況可能將持續(xù)至2026年。行業(yè)分析師預測，明年新旗艦的內(nèi)存同比漲幅可能達20-30%，消費者在購買高端手機時可能需承擔更多成本。 

責編：Amy.wu