近日，半導體業界普遍預測，由人工智能（AI）引發的內存半導體超級周期將比以往任何一次繁榮期更為持久和強勁。隨著AI服務器的新增投資、普通服務器內存的替換需求以及設備端AI（在設備上自主運行的AI）設備的增長，市場預計將面臨長達3至4年的“供應短缺”局面。

據半導體業界消息，三星電子、SK海力士等主要內存供應商正計劃在今年第四季度將DRAM和NAND供應價格上調最高30%，并向客戶提出這一方案。全球投資銀行如花旗、摩根士坦利等在最近的半導體產業分析報告中，將第四季度DRAM平均銷售價格（ASP）預測的上漲幅度上調了10個百分點以上，預計最高可達25%至26%，進一步加劇了價格上升的預期。

支撐這一超級繁榮論的基礎是“AI內存需求增加”。谷歌、微軟、亞馬遜、Meta、OpenAI等大型科技公司紛紛投入數十至數百億規模的AI數據中心建設，導致對AI服務器專用的大容量、高性能DRAM——高帶寬內存（HBM）的需求激增。半導體業界預計，到2030年，HBM市場規模將達到今年的三倍，達到1000億美元。

此外，HBM的盈利能力也相當可觀。預計明年開始大規模供貨的HBM4（第六代HBM）12層產品，單價高達500美元，比HBM3E（第五代HBM）12層產品（約300美元）高出60%以上。美光科技的首席業務官Sumit Sadana在最近的一次采訪中表示：“HBM所需的晶圓（半導體基板）容量是標準DRAM的三倍以上。”他還指出，“由于工廠擴建需要時間，極端的供應短缺情況將在明年進一步加劇。”（校對/趙月）