2025年以來各大存儲廠商均發(fā)布減產(chǎn)計劃，美光預(yù)計減產(chǎn)10%，三星預(yù)計減產(chǎn)15%，海力士預(yù)計上半年減產(chǎn)10%，鎧俠自2024年12月開始減產(chǎn)，在原廠減產(chǎn)大背景下，存儲市場庫存去化明顯。具體來看，DRAM方面，2024年Q3部分原廠將傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)至DDR5、HBM等更高利潤的產(chǎn)品，2025年海外多家存儲原廠接連宣布將停產(chǎn)DDR4、LPDDR4X等舊制程DRAM產(chǎn)品。

受此影響，DDR4、LPDDR4X、DDR5、NAND Flash價格自二季度起開啟轟轟烈烈的漲價潮，整個價格已經(jīng)連續(xù)五個月大幅上漲。未來隨著HBM產(chǎn)能擠占疊加新舊制程切換影響，諸如愷俠等原廠的產(chǎn)能已經(jīng)銷售一空，DDR5、NAND Flash供應(yīng)持續(xù)趨于緊張，整個存儲市場有望迎來漲價行情的超級周期。

近段時間以來，包括低端資源在內(nèi)的NAND、DRAM供應(yīng)持續(xù)緊張，現(xiàn)貨貿(mào)易端控盤嚴(yán)重，渠道廠商可承受價格范圍內(nèi)的資源基本顆粒難覓，控貨漲價持續(xù)籠罩于渠道市場當(dāng)中，現(xiàn)貨市場強(qiáng)勢拉漲SSD和DDR4、DDR5內(nèi)存條價格。

根據(jù)CFM數(shù)據(jù)顯示，截至本周（10月13日—10月18日），DDR5 16G/DDR4 16G/DDR3 4G均價為10.343/24.167/2.72美金，相較上周同比+20.59%/+11.11%/6.12%,相較上月同比+58.73%/+43%/+33.46%,DDR5補張加速。

NAND Flash方面，截至本周（10月13日—10月18日），大容量1Tb QLC/1Tb TLC/512Gb TLC/256Gb TLC wafer均價為6/6.7/4.2/3.4美金，相較上周同比+17.6%/+17.5%/+20%/+6.3%，相較上月同比+22.4%/+21.8%/+31.3%/+13.3%,漲價明顯加速。

存儲迎來新一輪“超級漲價周期”

面對存儲產(chǎn)品強(qiáng)勢的市場表現(xiàn)，國際投行摩根士丹利在研報中指出，AI驅(qū)動下存儲行業(yè)供需失衡加劇，預(yù)計將開啟持續(xù)數(shù)年的“超級周期”，到2027年全球存儲市場規(guī)模有望向3000億美元邁進(jìn)，存儲芯片行業(yè)或正迎來新一輪產(chǎn)業(yè)周期的起點。

對于本輪行情，德邦證券在研報中分析，存儲行業(yè)本輪受AI驅(qū)動，持續(xù)性可能更強(qiáng)。

拉長時間來看，從2016年至今，存儲行業(yè)經(jīng)歷了三輪周期。2016至2019年為第一輪上行周期，其核心驅(qū)動力在于DDR4內(nèi)存的加速滲透與技術(shù)換代，推動存儲價格持續(xù)上漲。盡管同期手機(jī)、PC等終端設(shè)備的出貨量并未顯著增長，但以手機(jī)游戲為代表的高性能應(yīng)用迅速普及，顯著提升了終端對內(nèi)存帶寬與容量的需求，進(jìn)而帶動下游廠商對DDR4內(nèi)存的采用率快速提升，推動其在主流市場的滲透率大幅攀升。

2020年至2023年周期的核心驅(qū)動力主要來自消費電子終端需求的集中釋放。2020至2021年，受全球新冠疫情持續(xù)影響，遠(yuǎn)程辦公、在線教育等新型工作與學(xué)習(xí)模式廣泛普及，顯著拉動了筆記本電腦、智能手機(jī)等設(shè)備的需求，成為存儲芯片需求擴(kuò)張的重要引擎。

2024年開啟的新周期核心受益AI基建帶來的需求增長。對此，德邦證券分析：本輪存儲行業(yè)的上行周期，和2016-2019年、2020-2023年有所不同，前兩輪周期本質(zhì)更多依托消費端發(fā)力，而本輪存儲產(chǎn)品的需求更多源自大型科技公司在AI時代的算力基建，持續(xù)性可能更強(qiáng)。

面對這一輪新周期的強(qiáng)勁，威剛董事長陳立白日前表示，當(dāng)今DRAM內(nèi)存、NAND閃存、固態(tài)硬盤、機(jī)械硬盤四大存儲類別全面缺貨漲價實乃其三十余年存儲業(yè)生涯中前所未見，而這背后是CSP云服務(wù)供應(yīng)商大舉采購的強(qiáng)勁需求。

那么如何看待這一輪存儲后市的表現(xiàn)？威剛董事長陳立白表示，看好第四季才是存儲大多頭的起點，也是存儲嚴(yán)重缺貨的開始，明年產(chǎn)業(yè)榮景可期。不少知名存儲分析師均表示，DRAM及NAND閃存市場目前均出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，且缺貨情況較此前預(yù)測更為嚴(yán)峻，預(yù)計今年四季度及2026年行業(yè)價格將進(jìn)一步上漲。

“存貨為王” 四季度將迎來全面上漲

可以看到，每一輪的存儲周期，都離不開原廠控產(chǎn)干預(yù)。尤其是今年以來，在原廠供應(yīng)干預(yù)下，現(xiàn)貨貿(mào)易端包括NAND和DRAM在內(nèi)的所有資源價格快速上漲。在上游資源日益走高且供應(yīng)收緊的影響下，相對應(yīng)的產(chǎn)品生產(chǎn)成本大幅走高，服務(wù)器、手機(jī)、PC等各應(yīng)用端的存儲成品全面掀起漲價潮。

據(jù)行業(yè)人士透露，現(xiàn)在原廠控制出貨，還要持續(xù)抬高價格，模組廠也很難拿到wafer，這樣一來模組廠商將會更加惜售現(xiàn)有的存貨，四季度成品漲價就看wafer新報價的漲幅。

如此一來，在上游資源控貨驅(qū)動下，市場需求不斷演變，存儲模組廠商普遍并不急于接單而嚴(yán)格控制出貨節(jié)奏，這將成為影響整個存儲市場行情走向的主要因素。那么，在這一現(xiàn)況下，存儲模組廠正是“存貨為王”的時刻。

從A股上市公司佰維存儲、江波龍、萬潤科技、德明利、朗科科技、同有科技披露的存貨來看，江波龍、佰維存儲和德明利上游資源穩(wěn)固，存貨居前。

從存貨來看，上半年江波龍存貨807615.8102萬元穩(wěn)居行業(yè)第一，德明利存貨464262.8646萬元位居第二，佰維存儲存貨438233.6312萬元居第三，萬潤科技存貨40913.9034萬元，朗科科技存貨20122.9718萬元，同有科技存貨40913.9034萬元。

不過，除了存貨持續(xù)受益之外，存儲產(chǎn)品的這一輪漲價，不同于以往由消費端需求推動的周期，AI服務(wù)器帶動的SSD需求將會驅(qū)動漲價的主因之一。德邦證券指出，本輪存儲芯片需求源自大型科技公司在AI時代的算力基建，持續(xù)性可能更強(qiáng)。隨著AI應(yīng)用場景的持續(xù)擴(kuò)展，存儲芯片市場的高景氣度可能只是剛剛開始。

德明利也表示，存儲價格受供需結(jié)構(gòu)變化、產(chǎn)能轉(zhuǎn)移及新興需求增長等多重因素影響，預(yù)計四季度存儲價格有望維持上漲趨勢。佰維存儲也回應(yīng)稱，目前存儲價格持續(xù)回升，疊加傳統(tǒng)旺季的備貨動能，以及AI眼鏡等新興應(yīng)用需求旺盛，從當(dāng)前時點來看，景氣度仍會持續(xù)。

作為國內(nèi)營收排名靠前的存儲大廠江波龍表示，關(guān)于在原廠大幅提價背景下，公司對存儲價格未來漲幅展望樂觀，根據(jù)第三方媒體報道，繼美光向渠道通知存儲產(chǎn)品即將上漲20%~30%之后，近日三星通知大客戶第四季度DRAM類LPDDR4X、LPDDR5/5X協(xié)議價格預(yù)計上漲15%-30%以上，NAND類eMMC/UFS協(xié)議價格預(yù)計漲幅5%-10%。根據(jù)CFM閃存市場預(yù)測，隨著AI服務(wù)器出貨規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，下半年服務(wù)器NAND市場備貨需求升溫，手機(jī)新品發(fā)布將催生新一輪換機(jī)需求，疊加存儲晶圓原廠兼顧投入產(chǎn)出比的供應(yīng)策略影響，四季度存儲市場價格將迎來全面上漲。