10月14日，中國領先的氮化鎵（GaN）功率器件制造商英諾賽科在港交所公告，公司正與英偉達展開深度合作，共同開發支持800V直流（800 VDC）電源架構的全氮化鎵（GaN）電源解決方案。這一合作旨在為新一代“人工智能工廠”（AI Factories）提供更高能效、更高功率密度的供電系統，助力數據中心實現綠色低碳轉型，應對AI算力爆發帶來的能源挑戰。

隨著生成式AI、大模型訓練和推理應用的迅猛發展，全球數據中心正加速向“AI工廠”演進。英偉達在其GTC大會上多次強調，AI數據中心不再是傳統服務器集群的簡單擴展，而是集成了數萬顆GPU、高速互連網絡與海量存儲的超級計算中樞。然而，這種前所未有的算力密度也帶來了巨大的能源壓力。

據估算，一座大型AI數據中心的功耗可達數十甚至上百兆瓦，相當于一座中小型城市的用電量。在如此高負載下，傳統基于硅（Si）基器件的48V或54V低壓直流供電架構已顯疲態：轉換效率低、能量損耗大、散熱需求高、占用空間多，嚴重制約了系統的整體能效與可擴展性。

英偉達CEO黃仁勛就曾指出，AI的未來不僅取決于算力，更取決于能源效率。我們必須重新思考整個數據中心的架構，從芯片到系統，再到供電網絡。

800VDC機架電源架構將在人工智能數據中心領域實現了重大突破，它不僅能顯著提升效率與功率密度，還能有效降低能耗需求，并減少二氧化碳的排放量。這一技術變革，與電動汽車行業從400V向800V的跨越式升級頗為相似，可使電流降低16倍，從而大幅減少I2R損耗并最大限度降低對銅材的需求。

除了向800V機架電源過渡外，該架構還要求在800V到1V的電壓轉換中實現超高功率密度和超高效率。而這只有氮化鎵功率器件(GaN)能夠同時滿足這些嚴苛要求。

英諾賽科與英偉達的合作，正是針對這一痛點，提出了一套革命性的解決方案：采用800V高壓直流（800 VDC）配電架構，結合全氮化鎵（GaN）功率器件，構建新一代高效電源系統。該解決方案能夠在提升效率、功率密度、可靠性和環保指標的同時，顯著壓縮系統體積和成本，是面AI大算力、數據中心以及高壓電動汽車充電等場景的關鍵技術路徑。

其中，氮化鎵作為第三代半導體材料，具備高頻、高效率、低導通電阻和耐高溫等特性，是實現高壓高效轉換的理想選擇。全GaN電源系統可在MHz級高頻下工作，顯著縮小電感、變壓器等無源元件體積，從而大幅提升功率密度——單位體積內可提供的電力輸出。

英諾賽科憑借其全球領先的8英寸GaN-on-Si制造平臺，已實現高性能GaN器件的規模化量產。此次合作中，英諾賽科將提供基于其InnoGaN?技術的高壓GaN FETs，為800 VDC電源架構提供全GaN電源解決方案，構建全鏈路高效轉換系統。

受這一消息的影響，英諾賽科(02577)高開近15%。

責編：Jimmy.zhang