2025年9月30日，深圳市發展和改革委員會發布“關于發布2025年第二批戰略性新興產業專項資金項目申報指南的通知”，旨在貫徹落實貫徹落實《深圳市人民政府關于發展壯大戰略性新興產業集群和培育發展未來產業的意見》《關于加快發展新質生產力進一步推進戰略性新興產業集群和未來產業高質量發展的實施方案》及“20+8”產業集群相關領域政策，加快培育發展戰略性新興產業集群。

從支持類別和重點領域來看，圍繞半導體與集成電路、生物醫藥、高端醫療器械、大健康、新能源、安全節能環保等戰略性新興產業重點領域，支持相關單位申報扶持計劃。

其中，半導體與集成電路領域，重點開展集成電路設計流片、產業化、創新能力建設、國家項目配套等扶持計劃。

集成電路設計流片扶持計劃包括集成電路流片、國產EDA工具推廣應用兩大方向；產業化扶持計劃聚焦高端芯片產品突破、核心設備及配套零部件突破、關鍵制造封裝材料突破、高端封裝測試水平提升、化合物半導體技術水平提升、尖端前沿技術突破等重點領域；創新能力建設扶持計劃重點支持建設半導體與集成電路領域產業創新中心、IC設計流片平臺、檢測認證中心、中試驗證平臺等產業支撐平臺；國家項目配套扶持計劃，對承擔國家發展改革委集成電路領域重大項目、重大技術攻關計劃及重點研發計劃的單位給予配套支持。

以下是半導體與集成電路領域部分內容：

一、集成電路設計流片扶持計劃

（一）集成電路流片

扶持方向：

支持多項目晶圓（MPW）流片、全掩模工程產品流片。

扶持方式及資助金額：

（1）對于參與晶圓制造廠多項目晶圓（MPW）流片的企業、高校和科研院所，通過專家評審后，按照流片直接費用的30%給予資助，同一單位年度總資助額不超過300萬元。

（2）對于首次完成全掩模工程產品流片（包括自組多項目晶圓流片）的企業、高校和科研院所，且工藝制程在28納米及以下的，通過專家評審后，按照流片直接費用的30%給予資助，同一單位年度總資助額不超過1000萬元。

以上項目采取事后一次性資助方式。

（二）國產EDA工具推廣應用

扶持方向：

支持模擬、數字、制造、封測等集成電路EDA工具軟件國產化。

扶持方式及資助金額：

（1）對購買國內企業研發的EDA工具并開展28納米及以下芯片研發制造的企業，通過專家評審后，按照購買該EDA工具實際發生費用的20%給予一次性資助，單個企業年度資助金額不超過200萬元。

（2）對購買國內企業研發的EDA工具并開展14納米及以下芯片研發制造的企業，通過專家評審后，按照購買該EDA工具實際發生費用的30%給予一次性資助，單個企業年度資助金額不超過300萬元。

（3）對購買國內企業研發的EDA工具并開展7納米及以下芯片研發制造的企業，通過專家評審后，按照購買該EDA工具實際發生費用的50%給予一次性資助，單個企業年度資助金額不超過500萬元。

以上項目采取事后一次性資助方式。對于同時申報兩項及以上不同制程EDA工具資助的企業，年度資助金額上限可累加。

二、產業化扶持計劃

（一）高端芯片產品突破

扶持方向：

（1）面向AI大模型場景需求，支持突破數據中心CPU、GPU、DSP、FPGA、ASIC等專用芯片，400G以上帶寬DPU、100G以上激光器芯片、新型光電融合芯片等互聯芯片，以及高性能高能效存儲芯片。

（2）面向AI手機、AI眼鏡、智能機器人等各類AI終端需求，研發高性能、高能效專用SoC主控芯片，支持存算一體、存內計算等新型架構處理器。

（3）面向新能源汽車萬億級市場，支持14納米及以下車規級高階智駕AI芯片、智能座艙SoC芯片、域控制器MCU、中央域控SoC/MPU芯片的國產替代。

扶持方式及資助金額：

（1）對購買IP開展28納米及以下制程高端芯片研發的企業，通過專家評審后，按照IP購買實際支付費用的20%給予資助，單一企業年度資助金額不超過300萬元。

（2）對購買IP開展14納米及以下制程高端芯片研發的企業，通過專家評審后，按照IP購買實際支付費用的30%給予資助，單一企業年度資助金額不超過500萬元。

（3）支持企業開展AEC-Q系列可靠性標準認證、ISO 26262功能安全管理體系認證、AQG 324車規級半導體模塊認證、ISO/TS 16949體系認證等車規級認證，對取得相關認證資質的企業，通過專家評審后，按照認證實際發生費用的50%給予資助，單一企業年度資助金額不超過100萬元。

以上項目采取事后一次性資助方式。

（二）核心設備及配套零部件突破

扶持方向：

支持開展刻蝕、薄膜沉積、量測檢測等核心設備及配套零部件技術研發。

扶持方式及資助金額：

（1）對于我市集成電路產線、中試線、實驗線為國產設備提供驗證服務的，通過專家評審后，按照驗證服務費用的30%給予產線、中試線、實驗線所屬單位資助，最高不超過200萬元。若集成電路產線、中試線、實驗線為同一研制單位的同一型號設備提供多次驗證服務的，僅對其首次驗證服務給予資助。

（2）對于核心設備及零部件首次投入產線使用的設備研制單位，通過專家評審后，按經評審核定的產品研發投入（僅包括用于研發的設備、材料、人力資源投入）的30%給予研制單位資助，單一型號設備及零部件最高不超過1000萬元，同一研制單位最高不超過3000萬元。

以上項目采取事后一次性資助方式。

（三）關鍵制造封裝材料突破

扶持方向：

支持開展14納米及以下先進制程光刻膠、研磨液、掩膜版等制造材料，臨時鍵合膠、聚酰亞胺、底部填充膠、封裝基板等先進封裝材料的技術研發。

扶持方式及資助金額：

對于我市集成電路產線、中試線、實驗線為國產關鍵制造及封裝材料提供驗證服務的，按照驗證服務費用的30%給予產線、中試線、實驗線所屬單位資助，最高不超過100萬元。若集成電路產線、中試線、實驗線為同一研制單位的同一型號材料提供多次驗證服務的，僅對其首次驗證服務給予資助。

該項目采取事后一次性資助方式。

（四）高端封裝測試水平提升

扶持方向：

支持凸塊（Bump）、倒裝（Flip Chip）、晶圓級封裝（WLP）、重布線（RDL）、芯粒（Chiplet）、硅通孔（TSV）、玻璃通孔（TGV）、2.5D封裝、3D封裝、混合鍵合、背面供電、扇出面板級封裝（FOPLP）、光電共封裝（CPO）等一系列先進封裝技術及配套關鍵材料的研發和產業化。

扶持方式及資助金額：

對于申報先進封裝技術研發和產業化的項目，專家評審綜合評分60分以上的進入現場核查階段，通過專家評審、現場核查后，市發展改革委予以批復立項。項目單位須先自行投入資金組織實施項目，待項目通過驗收后，按經審計核定的項目實際研發投入（僅包括用于研發的設備、材料、人力資源投入）的30%給予資助，單個項目不超過1000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。

（五）化合物半導體技術水平提升

扶持方向：

支持化合物半導體芯片、器件、裝備及材料的推廣應用。

扶持方式及資助金額：

對銷售自研化合物半導體芯片、器件、裝備及材料且相關產品年營業收入首次超過1億元的企業，通過專家評審后，按照企業當年研發投入（僅包括用于研發的設備、材料、人力資源投入）的30%給予資助，單個企業最高不超過1000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。

（六）尖端前沿技術突破

扶持方向：

支持自主研發，突破關鍵環節“卡脖子”技術或前沿變革性顛覆性技術。

扶持方式及資助金額：

專家評審綜合評分60分以上的進入現場核查階段，通過專家評審、現場核查的項目，市發展改革委予以批復立項。項目單位須先自行投入資金組織實施項目，待項目通過驗收后：

（1）對突破關鍵環節“卡脖子”技術或前沿變革性顛覆性技術的集成電路領域攻關項目，按照項目研發投入（僅包括用于研發的設備、材料、人力資源投入）的30%給予資助，單個項目最高不超過3000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。

（2）對于集成電路制造、封測、裝備、材料等領域自主研發取得突破、帶動產業優勢資源集聚的重大項目，按照項目固定資產投資給予項目單位一定比例的資助，單個項目最高不超過設定金額。該項目采取分階段資助方式。

三、創新能力建設扶持計劃

扶持方向：

支持建設半導體與集成電路領域產業創新中心、IC設計流片平臺、檢測認證中心、中試驗證平臺等產業支撐平臺。

扶持方式及資助金額：

1.對于成功申報國家產業創新中心的，給予不超過1:1的資金配套，本市配套資金和國家資助資金合計不超過項目總投資的50%，國家專項計劃另有規定的，從其規定。項目資助金額按照國家資金撥付進度分階段撥付。

2.對于建設符合我市產業布局的IC設計流片平臺、檢測認證中心、中試驗證平臺等產業支撐平臺的項目，專家評審綜合評分60分以上的進入現場核查階段，通過專家評審、現場核查后，市發展改革委予以批復立項。項目單位須先自行投入資金組織實施項目，待項目通過驗收后，按經審計核定的平臺實際建設投資（不含土建工程部分）的20%給予資助，單個平臺累計不超過3000萬元。該項目采取事后一次性資助方式。

四、國家項目配套扶持計劃

扶持方向：

支持有關單位承擔國家發展改革委開展的半導體與集成電路領域重大項目、重大技術攻關計劃和重點研發計劃。

扶持方式及資助金額：

對于承擔國家發展改革委開展的集成電路領域重大項目、重大技術攻關計劃和重點研發計劃的單位，給予不超過1:1的資金配套，本市配套資金和國家資助資金合計不超過項目總投資的50%，國家專項計劃另有規定的，從其規定。項目資助金額按照國家資金撥付進度分階段撥付。