臺(tái)積電已確認(rèn)將在兩年內(nèi)退出氮化鎵（GaN）代工業(yè)務(wù)，關(guān)閉位于中國臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)的6英寸Fab 2晶圓廠。此外，該公司預(yù)計(jì)將整合其三座8英寸晶圓廠——Fab 3、Fab 5和Fab 8，并將最多30%的員工重新部署至南部科學(xué)園區(qū)（STSP）和高雄的工廠，以彌補(bǔ)勞動(dòng)力短缺、降低成本并優(yōu)化資產(chǎn)利用率。

半導(dǎo)體設(shè)備制造商表示，臺(tái)積電已為其老廠制定新的規(guī)劃。6英寸工廠預(yù)計(jì)將被改造成CoPoS面板級封裝工廠，而8英寸晶圓廠將轉(zhuǎn)變到新方向：啟動(dòng)EUV掩膜保護(hù)膜的內(nèi)部生產(chǎn)，以減少對ASML及其供應(yīng)鏈的依賴。

該戰(zhàn)略凸顯了臺(tái)積電致力于利用其研發(fā)和制造實(shí)力，在降低成本的同時(shí)提高先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的EUV良率。這不僅鞏固了其領(lǐng)先于競爭對手的前沿地位，還可能在更廣泛的EUV生態(tài)系統(tǒng)中創(chuàng)造對設(shè)備和材料的新需求。

臺(tái)積電新竹科學(xué)園區(qū)的8英寸Fab 3晶圓廠將經(jīng)歷最重要的變革，成為內(nèi)部EUV保護(hù)膜研發(fā)的中心。

過去十年，臺(tái)積電在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上投入創(chuàng)紀(jì)錄資金，遙遙領(lǐng)先于競爭對手。但隨著摩爾定律觸及物理極限，強(qiáng)行高投入的優(yōu)勢正在逐漸消退。

EUV光刻技術(shù)開啟新的工藝節(jié)點(diǎn)，但成本高昂：ASML EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.5億美元，而最新的ASML High NA（高數(shù)值孔徑）EUV系統(tǒng)的價(jià)格超過3.5億美元。隨著成本不斷攀升，臺(tái)積電已減少High NA的訂單，并正在探索其他方法來提高EUV良率并控制成本。

保護(hù)膜技術(shù)已成為關(guān)鍵。經(jīng)過多年的發(fā)展，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在Fab 3晶圓廠投產(chǎn)，從而減少對ASML相關(guān)供應(yīng)商的依賴，同時(shí)提高良率和成本效益。

與深紫外（DUV）光刻技術(shù)不同，EUV需要采用新的掩模版和保護(hù)膜方法。保護(hù)膜可阻擋顆粒污染，但傳統(tǒng)的有機(jī)保護(hù)膜缺乏EUV所需的透明度和穩(wěn)定性。因此，大多數(shù)晶圓廠在運(yùn)行時(shí)無需保護(hù)膜，需要不斷進(jìn)行檢查。每個(gè)缺陷都會(huì)導(dǎo)致昂貴的掩模版維修或更換，從而減慢生產(chǎn)速度。

ASML和其他公司正在進(jìn)行保護(hù)膜研發(fā)，但高昂的技術(shù)壁壘阻礙了其大規(guī)模應(yīng)用。臺(tái)積電認(rèn)為保護(hù)膜對于7nm以下工藝至關(guān)重要，并已加快其內(nèi)部研發(fā)進(jìn)程。

分析師表示，臺(tái)積電自有的保護(hù)膜將優(yōu)化工作流程、提高良率、擴(kuò)大產(chǎn)能并降低成本，從而提升盈利能力并擴(kuò)大領(lǐng)先地位。盡管保護(hù)膜專利問題仍未解決，但設(shè)備和材料供應(yīng)商可能會(huì)受益于臺(tái)積電轉(zhuǎn)型帶來的新基礎(chǔ)設(shè)施需求。

隨著向2nm以下工藝生產(chǎn)邁進(jìn)并擴(kuò)展CoWoS封裝技術(shù)，臺(tái)積電自2025年初以來一直在精簡舊晶圓廠。臺(tái)積電已向世界先進(jìn)（VIS）和恩智浦半導(dǎo)體在新加坡的合資企業(yè)VSMC出售價(jià)值7100萬~7300萬美元的設(shè)備，目前正準(zhǔn)備進(jìn)一步整合其位于新竹的6英寸和8英寸晶圓廠。

據(jù)TechInsights稱，瑞薩電子已與Polar半導(dǎo)體合作開發(fā)下一代d型GaN，而中國大陸企業(yè)正在加速GaN項(xiàng)目。包括德州儀器和英飛凌在內(nèi)的全球IDM廠商也在擴(kuò)大內(nèi)部GaN產(chǎn)能。

消息人士稱，臺(tái)積電退出GaN領(lǐng)域凸顯了中國大陸競爭對手在第三代半導(dǎo)體市場激烈的價(jià)格競爭。這家6英寸晶圓廠將轉(zhuǎn)向先進(jìn)封裝，重點(diǎn)是CoPoS先進(jìn)封裝。