7月14日消息，作為中國乃至全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，英諾賽科（Innoscience）近期宣布其8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能將在年底從目前的13000片/月提升至20000片/月。這一產(chǎn)能提升計劃是公司中長期戰(zhàn)略的一部分，其目標(biāo)是在未來五年內(nèi)將月產(chǎn)能進一步擴大至70000片/月，是當(dāng)前水平的五倍以上。

這一增長得益于公司在8英寸晶圓制造工藝上的成熟化，以及對良率的持續(xù)優(yōu)化，也體現(xiàn)了英諾賽科在技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)能擴張方面的持續(xù)投入。根據(jù)此前公開資料，英諾賽科的晶圓良率超過95%，顯著高于行業(yè)平均水平。

在晶圓尺寸方面，相較于8英寸晶圓，12英寸晶圓的芯片產(chǎn)出數(shù)增加了2.3倍，但維持穩(wěn)定的良率和實現(xiàn)成本效益的穩(wěn)定量產(chǎn)仍面臨挑戰(zhàn)。目前，全球范圍內(nèi)尚未有公開宣布已推出支持12英寸氮化鎵外延的解決方案的MOCVD設(shè)備廠商。因此，英諾賽科強調(diào)，公司將聚焦8英寸產(chǎn)線工程化的成熟度，再逐步推進12英寸產(chǎn)線，預(yù)計到2030年才能實現(xiàn)商業(yè)化。

在產(chǎn)能擴張的同時，英諾賽科也注重產(chǎn)品迭代和市場拓展。公司計劃通過提升產(chǎn)能和優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，在性能和成本方面顯著超越傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體，為客戶提供最多40%的性能提升和30%的成本節(jié)省。目前，英諾賽科的產(chǎn)品線覆蓋了從晶圓制造到分立器件、智能氮化鎵IC、驅(qū)動控制芯片和氮化鎵功率模塊等多個領(lǐng)域。其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、可再生能源、工業(yè)控制、汽車電子和數(shù)據(jù)中心等終端市場。

英諾賽科（Innoscience）是一家專注于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)的高新技術(shù)企業(yè)，致力于推動氮化鎵功率器件在多個領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。公司成立于2015年12月17日，總部位于中國珠海，并在蘇州設(shè)有生產(chǎn)基地。英諾賽科采用IDM（設(shè)計-制造-封測一體化）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)線，具備從設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)到銷售的完整產(chǎn)業(yè)鏈能力。英諾賽科于2024年12月30日正式在中國香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市，股票代碼為02577.HK ，成為全球首家實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵（GaN）晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的IDM企業(yè)。