6月4日，中國臺灣省半導(dǎo)體代工企業(yè)巨頭臺積電召開2023財年股東大會。會上，董事長劉德音針對華為會不會超過臺積電這個問題，直接做出了強(qiáng)硬的回答，他說華為不可能追得上臺積電，目前臺積電沒有競爭對手，未來幾年的形勢也非常好。

為什么臺積電如此輕視華為呢？

目前在先進(jìn)邏輯芯片代工能力上，全球可以和臺積電直接競爭的只有英特爾和三星。

英特爾和三星為了超越臺積電，在過去幾年做了非常激進(jìn)的策略，尤其是在邏輯芯片制程進(jìn)入3納米以下的時候，選擇了更加激進(jìn)的方式，例如，英特爾率先采購了高數(shù)值孔徑2納米EUV光刻機(jī)，并且成為ASML的2納米EUV光刻機(jī)的第一個客戶；三星則通過和美國IBM公司的合作率先在3納米節(jié)點推出了下一代芯片構(gòu)架--環(huán)柵晶體管（GAA）。

臺積電則穩(wěn)中求勝，聚焦于不斷的提升先進(jìn)制程的良率，并且今年年底也會引進(jìn)ASML的2納米EUV光刻機(jī)。

目前在先進(jìn)工藝制程上，還沒有出現(xiàn)第4家競爭企業(yè)。這里面主要存在兩方面的問題， 第一是EUV光刻機(jī)本身的迭代升級，第二是芯片構(gòu)架的跨越式升級。所以它本質(zhì)上已經(jīng)不簡單是芯片節(jié)點的對比問題，而是生產(chǎn)力水平差距拉大的問題。

誠然，目前，基于成熟的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的供應(yīng)，華為可以通過采用深度挖掘上一代的光刻機(jī)和上一代的芯片構(gòu)架的潛能，繼續(xù)做一些拓展，但是這并不意味著半導(dǎo)體能力的縮小，反而會繼續(xù)拉大生產(chǎn)力水平的差距！


7nm以下我們無能為力

發(fā)力成熟制程才是目的

近日，華為常務(wù)董事張平安表示，我們半導(dǎo)體能解決7nm就非常非常好。

對于眾所周知的中國芯片現(xiàn)狀，張平安表示：“我們肯定是得不到 3nm，肯定得不到 5nm，我們能解決 7nm 就非常非常好。”

張平安還認(rèn)為，中國芯片創(chuàng)新的方向，必須依托于我們芯片能力的方向，不能在單點的芯片工藝上，而是應(yīng)該在系統(tǒng)架構(gòu)上（發(fā)力），發(fā)揮我們在帶寬上的能力，希望用空間、用帶寬、用能源來換取我們在芯片上的缺陷。

事實上，7nm也并非必需，調(diào)查顯示，中國大陸2023年在汽車產(chǎn)業(yè)等大量需要28納米以上之成熟制程半導(dǎo)體，目前已占全球生產(chǎn)能力之29%。

由于美國等對先進(jìn)設(shè)備出口管制，這導(dǎo)致中國大陸轉(zhuǎn)而擴(kuò)大投入成熟制程（28nm及更成熟的制程），預(yù)計2027年中國大陸成熟制程產(chǎn)能占比可達(dá)39%。

機(jī)構(gòu)統(tǒng)計，中國大陸半導(dǎo)體廠商2023年產(chǎn)能同比增長12%，達(dá)到每月760萬片晶圓。預(yù)計中國大陸芯片制造商將在2024年開始運(yùn)營18個項目，2024年產(chǎn)能同比增加13%，達(dá)到每月860萬片晶圓。


多重“圍剿”下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展步履艱難

雖然美國的行徑早已司空見慣，歐洲的“投誠”也不算意外，中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)在各種圍追堵截的環(huán)境下掙扎前行了數(shù)年，但現(xiàn)階段美歐的舉措不僅進(jìn)一步收緊了中國獲取先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的限制，還開始對中國的成熟制程芯片設(shè)限，這一系列新舉措將給中國半導(dǎo)體技術(shù)升級、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和市場穩(wěn)定帶來更大的挑戰(zhàn)。


01 、技術(shù)迭代難上加難，自主創(chuàng)新壓力升級

中國半導(dǎo)體技術(shù)本就與半導(dǎo)體強(qiáng)國存在代隙差距，一直處于對先進(jìn)制程的追趕之中。

在美歐的強(qiáng)權(quán)制裁和封鎖之下，中國半導(dǎo)體行業(yè)獲取先進(jìn)技術(shù)和設(shè)備的機(jī)會越來越少，增加了國內(nèi)先進(jìn)制程研發(fā)難度，技術(shù)迭代速度嚴(yán)重受到制約。

年初，在荷蘭政府的強(qiáng)勢干預(yù)之下，ASML不得不停止對華DUV設(shè)備光刻機(jī)設(shè)備的出口。這比EUV禁運(yùn)的負(fù)面影響更加直觀，因為以當(dāng)前中國半導(dǎo)體設(shè)計、制造、封裝、測試環(huán)節(jié)的綜合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，無力支撐3nm芯片的量產(chǎn)，國內(nèi)對EUV光刻機(jī)的需求并沒有那么迫切。但DUV光刻機(jī)對應(yīng)的包括成熟制程和部分先進(jìn)制程在內(nèi)的40nm以下的晶圓制造，恰好是國內(nèi)現(xiàn)階段大量生產(chǎn)和努力攻關(guān)的重中之重。

美歐的限制手段直接阻塞了中國半導(dǎo)體領(lǐng)域在傳統(tǒng)技術(shù)路線尋求技術(shù)升級的最優(yōu)選途徑，導(dǎo)致國內(nèi)企業(yè)在自主研發(fā)和創(chuàng)新上面臨著“無米之炊”的巨大壓力。此外，芯片技術(shù)發(fā)展受限的負(fù)面影響將傳導(dǎo)至下游應(yīng)用科技產(chǎn)業(yè)，信息技術(shù)、軍事裝備、航空航天等戰(zhàn)略科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展都將受到掣肘。


02 、供應(yīng)鏈穩(wěn)定性受到?jīng)_擊，產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同面臨考驗

中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)流程高度依賴全球供應(yīng)鏈，美歐對半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的管控將導(dǎo)致中國企業(yè)面臨生產(chǎn)所需原材料和設(shè)備斷供的風(fēng)險，可能造成生產(chǎn)中斷和成本上升。

例如2023年底因美國政商務(wù)部的信函導(dǎo)致Entegris緊急停止對SMIC價值數(shù)百萬美元的產(chǎn)品供貨。

這種毫無預(yù)兆、戛然而止的斷供對于SMIC而言，可能直接打亂其生產(chǎn)節(jié)奏以及對下游客戶的供貨規(guī)劃，且亟需在短時間內(nèi)尋找替代供應(yīng)商和評估新物料，任何一個環(huán)節(jié)出現(xiàn)大的紕漏都將帶來巨大的經(jīng)濟(jì)損失和持續(xù)的負(fù)面影響。

因此，供應(yīng)鏈中斷對企業(yè)的生產(chǎn)計劃和交付能力構(gòu)成直接威脅，一旦發(fā)生，將影響企業(yè)的市場地位和客戶信任，甚至整個產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同運(yùn)作。這對中國半導(dǎo)體企業(yè)的供應(yīng)鏈管理方面的風(fēng)險管控和應(yīng)對能力提出更大挑戰(zhàn)。

03 、市場風(fēng)險指數(shù)陡增，產(chǎn)業(yè)環(huán)境更趨復(fù)雜

現(xiàn)階段，中國正在大力發(fā)展半導(dǎo)體成熟工藝。

一方面，中國是全球成熟制程芯片領(lǐng)域的重要玩家，產(chǎn)能占比高達(dá)全球市場的三分之一。隨著應(yīng)用市場需求的增加，亟需進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)能。

另一方面，由于先進(jìn)工藝被美國限制和打壓，中國需要通過成熟工藝練兵，經(jīng)過長期積累和沉淀再慢慢向先進(jìn)工藝進(jìn)發(fā)。

美歐聯(lián)手將“狙擊”目標(biāo)擴(kuò)大到成熟制程，或?qū)⒁l(fā)海外訂單重定向、行業(yè)惡性競爭、價格異常波動等市場亂象，中國半導(dǎo)體企業(yè)將面臨更加復(fù)雜的市場環(huán)境，市場風(fēng)險指數(shù)急劇上升。

而且市場風(fēng)險增加也會對投資造成不良影響，導(dǎo)致投資者對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資熱情和信心下降。投資者會更加謹(jǐn)慎地考慮投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，進(jìn)一步影響產(chǎn)業(yè)的資金流動和融資能力。

因此，如何靈活調(diào)整市場策略，保持市場的穩(wěn)定和可持續(xù)發(fā)展，是當(dāng)下應(yīng)對美歐挑戰(zhàn)的重要議題。