由于光刻機(jī)供應(yīng)的問(wèn)題，中國(guó)芯片行業(yè)正在想方設(shè)法解決問(wèn)題，除了繼續(xù)基于現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)發(fā)展之外，研發(fā)先進(jìn)的芯片材料則是另一條提升先進(jìn)芯片性能的途徑，在這方面中國(guó)已走在世界前列。

第三代芯片材料普遍被認(rèn)為芯片技術(shù)變革的關(guān)鍵，第三代芯片材料可以大幅提升芯片性能并降低功耗，這將解決當(dāng)下硅基芯片的瓶頸，為此中國(guó)和美國(guó)都在積極發(fā)展先進(jìn)芯片材料。

第三代芯片材料之中，普遍認(rèn)為碳化硅、氮化鎵有很大的發(fā)展前途，這類(lèi)芯片材料擁有更低的導(dǎo)通電阻、能量轉(zhuǎn)換效率更高等優(yōu)點(diǎn)，這些恰恰是當(dāng)下硅基芯片所面臨的重大問(wèn)題，可以有效提升芯片性能并降低能源損耗。

對(duì)于手機(jī)芯片來(lái)說(shuō)，功耗已越來(lái)越成為提升性能的重大障礙，當(dāng)前手機(jī)芯片為了控制功耗往往只能通過(guò)降頻來(lái)防止過(guò)熱；大型數(shù)據(jù)中心的能源中有約七成消耗在芯片的發(fā)熱以及散熱的空調(diào)系統(tǒng)上，這些都說(shuō)明現(xiàn)有硅基芯片在功耗方面的問(wèn)題。

隨著硅基芯片逐漸接近1納米的極限，也促使芯片行業(yè)盡快找到新的芯片材料以替代現(xiàn)有的硅基材料，而第三代芯片材料雖然已經(jīng)能研發(fā)成功，只是成本實(shí)在太高，導(dǎo)致第三代芯片材料在應(yīng)用方面發(fā)展較為緩慢，而中國(guó)在推進(jìn)芯片材料方面已取得重大進(jìn)展。

第三代芯片材料商業(yè)化存在兩大技術(shù)難點(diǎn)，一個(gè)是制作更大尺寸的晶圓難度較大，主要是這些材料太過(guò)脆弱了，中美都在力推6英寸以上晶圓的制成辦法，中國(guó)恰恰在這方面已取得成功，為第三代芯片材料商業(yè)化做好了準(zhǔn)備。

另一個(gè)則是成本問(wèn)題，這方面更是中國(guó)制造的拿手好戲，中國(guó)企業(yè)已將碳化硅晶圓價(jià)格降低七成，從2年前的4000美元每片降低到1200美元，成本的大幅下降，將加速了第三代芯片材料的商用。

在實(shí)際的商業(yè)化中，其實(shí)中國(guó)數(shù)年前就已開(kāi)始推進(jìn)這些材料的應(yīng)用，諸如電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能等方面，中國(guó)已做到了全球第一，第三代芯片材料的廣泛應(yīng)用就為這些產(chǎn)業(yè)的成功提供了有力支持，隨著第三代材料的成本下降，中國(guó)這些新興產(chǎn)業(yè)可望進(jìn)一步鞏固全球領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

由于海外限制供應(yīng)先進(jìn)光刻機(jī)，中國(guó)芯片行業(yè)當(dāng)前能實(shí)現(xiàn)的最先進(jìn)工藝為7納米，這與臺(tái)積電等的3納米工藝相比差了兩代，然而如果采用第三代芯片材料，工藝差距將瞬間被抹除，芯片價(jià)格還可以因此大幅下降，芯片白菜價(jià)將不再是想象。

中國(guó)在芯片技術(shù)方面探索多種路徑，在于中國(guó)擁有強(qiáng)大的基礎(chǔ)研發(fā)實(shí)力，可以迅速研發(fā)先進(jìn)的芯片材料；中國(guó)擁有龐大的技術(shù)人才，這些人才為中國(guó)研發(fā)多種技術(shù)，再加上中國(guó)獨(dú)特的成本優(yōu)勢(shì)，可以預(yù)期中國(guó)必將打破美國(guó)對(duì)中國(guó)芯片技術(shù)的限制。