5月11日消息，晶圓代工大廠聯電董事長洪嘉聰表示，新冠肺炎疫情衍生許多新的工作型態與市場需求，包括人工智能（AI）、先進制造、5G通訊、量子訊息科技等，將是新時代下半導體科技運用的趨勢。聯電將持續強化公司競爭優勢，掌握后疫情的新需求及創新服務，在經營策略上維持既定的兼顧財務體質改善及持續成長。法人看好聯電今年營收及獲利將同步創下新高紀錄。

洪嘉聰在營運報告書中指出，去年新冠肺炎疫情肆虐全球，經濟受到重大沖擊，更顛覆了人們的生活型態。聯電面對此動蕩局勢，經營團隊配合政府政策進行超前部署，與全體同仁正面迎擊疫情，共同努力維持正常營運，且能穩定成長。

洪嘉聰表示，聯電自從調整經營策略后，轉型為專注特殊技術的領先者，并從強化財務結構、具成本競爭力的產能擴充及調整產品組合著手。檢視目前成效，在策略定位、技術及產能、良率、獲利與永續經營各方面都有亮麗的表現。

聯電去年在先進制程平臺推出14nm 14FFC制程、22nm超低功耗22ULP及超低漏電流22ULL制程、28nm高效能運算28HPC+制程等均已進入量產，并采用28HPC+制程量產影像訊號處理器（ISP）且今年導入更先進的高階產品。聯電亦針對毫米波（mmWave）制程完成55／40／28nm平臺，可應用在行動裝置、物聯網、5G通訊、車用電子及工業雷達。

在特殊制程技術部，洪嘉聰表示，聯電28nm高壓制程是晶圓代工業界第一個領先開發并量產OLED面板驅動IC，22nm高壓22eHV制程研發進度符合預期指針。射頻絕緣半導體（RFSOI）技術可滿足所有4G／5G手機對射頻開關的嚴格要求，目前90nm制程已進入量產，55nm制程即將導入量產，同時已著手開發40nm RFSOI技術平臺，以銜接后續5G及mmWave成長動能。

此外，聯電嵌入式閃存（eFlash）制程的40nm導入量產，28nm研發符合預期，將可供應物聯網需求。40nm電阻式隨機存取內存（ReRAM）已經進入量產，22nm ReRAM技術平臺和22nm嵌入式磁阻隨機存取內存（eMRAM）制程平臺研發業已如期進行中，可應用于人工智能物聯網（AIoT）相關產品。聯電也積極投入氮化鎵（GaN）功率組件與微波組件平臺開發，藉以布局高效能電源功率組件與5G微波組件市場。