芯片巨頭英特爾近日喜獲業(yè)內首臺具有 0.55 數(shù)值孔徑 （High-NA） 的 ASML 極紫外 （EUV） 光刻機，將助力英特爾在未來幾年實現(xiàn)更先進的芯片制程。與之形成鮮明對比的是，另一巨頭臺積電則按兵不動，似乎并不急于加入這場下一代光刻技術的競賽。業(yè)內分析師預計，臺積電可能要到 2030 年甚至更晚才會采用這項技術。

英特爾此次獲得的 High-NA EUV 光刻機將首先用于學習和掌握這項技術，預計在未來兩三年內用于 18A （1.8nm 工藝）之后的芯片制程節(jié)點。相比之下，臺積電則采取了更加謹慎的策略，華興資本和 SemiAnalysis 的分析師認為，臺積電可能要到 N1.4 制程之后（預計在 2030 年后）才會采用 High-NA EUV 技術。

分析師 Szeho Ng 表示：“與英特爾計劃將 High-NA EUV 與 GAA 晶體管同時引入 20A 制程不同，我們預計臺積電將在 N1.4 制程之后才引入 High-NA EUV，最早也要到 2030 年以后。”

IT之家注意到，英特爾激進的制程路線圖包括從 20A（2nm 級）開始引入 RibbonFET 全環(huán)柵晶體管和 PowerVia 背面供電網絡，然后在 18A 進一步優(yōu)化，并在 18A 之后節(jié)點采用 High-NA EUV 光刻機，以實現(xiàn)更低功耗、更高性能和更小的芯片尺寸。

目前主流的 EUV 光刻機采用 0.33 數(shù)值孔徑（Low-NA）鏡頭，能夠在量產中實現(xiàn) 13 到 16 納米的關鍵尺寸，足以生產 26 納米的金屬間距和 25 到 30 納米的互聯(lián)間距。這對于 3nm 級制程來說已經足夠，但隨著制程的微縮，金屬間距將縮小到 18-21 納米（imec 數(shù)據(jù)），這將需要 EUV 雙重曝光、圖形化刻蝕或 High-NA 單曝光等技術。

英特爾計劃從 20A 開始引入圖形化刻蝕，然后在 18A 之后節(jié)點采用 High-NA EUV，這可以降低工藝流程的復雜性和避免使用 EUV 雙重曝光。然而，High-NA EUV 光刻機比 Low-NA EUV 光刻機要昂貴得多，而且還有曝光面積減少一半等一系列特殊性。

分析人士認為，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV 雙重曝光，這也是臺積電暫時觀望的原因。臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。


Intel重振晶圓業(yè)務

在制造業(yè)務獨立之前，英特爾的內部產品業(yè)務部門與制造業(yè)務是一體的，雖然有時候可以帶來更好的協(xié)同作用，但是同樣也可能會使得兩個部門的效率降低，并帶來成本的上升，而新的模式則能夠很好的解決這個問題。

英特爾公司副總裁兼企業(yè)規(guī)劃集團總經理Jason Grebe表示，我們已經在我們的制造組織和業(yè)務部門中進行了大量的內部分析和基準測試，發(fā)現(xiàn)了許多優(yōu)化機會，這將帶來顯著的成本節(jié)省。同時，內部代工模式將為英特爾業(yè)務集團提供強有力的激勵，使其更高效地工作。例如，業(yè)務部門決定通過英特爾制造流程的“加急”晶圓成本高昂，并且會降低工廠效率。展望未來，這筆服務費將由業(yè)務部門承擔，預計它將減少加急次數(shù)，與競爭對手相提并論。

Grebe預計，“通過工廠運輸?shù)募蛹本A減少帶來的成本和效率節(jié)省，預計隨著時間的推移每年將節(jié)省500億至1億美元。”

而且英特爾的測試時間目前是競爭對手的兩倍或三倍。由于業(yè)務部門根據(jù)測試時間收取市場價格，英特爾預計硅前設計選擇將減少這些測試時間，最終每年節(jié)省約 500 億美元。通過減少晶圓步進的數(shù)量，即產品設計的物理迭代次數(shù)，英特爾估計它將實現(xiàn)500億至1億美元的成本節(jié)約。

另外，對于英特爾的產品業(yè)務（芯片設計）部門來說，其也能夠選擇更具競爭力的外部晶圓代工合作伙伴來降低成本、提升產品的競爭力。

按照英特爾的路線圖，提出了4年量產5個制程節(jié)點的計劃，致力于在2025年重新取得制程技術的領先地位。目前Intel 7已實現(xiàn)大規(guī)模量產，并用于客戶端和服務器端；Intel 4已經準備就緒，為投產做好準備，預計2023年下半年基于Intel 4的Meteor Lake將量產；Intel 3正按計劃推進中；和Intel 18A將于2024年上半年量產，Intel 20A將于2024年下半年量產，預計相關產品將會在2025年推出，屆時英特爾將重新取得制程技術的領先地位。而這也是英特爾開拓代工業(yè)務的重要競爭力。


能否重返霸主之位？

這事一出，大家都開始討論英特爾能不能借這個機會來個大逆襲。畢竟光刻機在芯片制造里就是頂梁柱般的存在，沒它可不行。那么英特爾能否像撿到寶藏一樣逆襲成為2nm芯片的霸主？

首先，讓我們揭開芯片制造的神秘面紗。光刻機在這個過程中可是位高權重的大佬，負責將圖案轉移到硅片上。簡而言之，光刻機就是這個游戲的畫師，而芯片是他的畫布。沒有光刻機就別想制造芯片，尤其是那些高端貨色。

然而，芯片制造可不是個簡單的過程。光刻機雖然非常重要，但并不是唯一的主角。舉個例子，目前全球只有臺積電和三星實現(xiàn)了3nm芯片的量產。雖然臺積電和三星都實現(xiàn)了量產，但臺積電靠著更高的良品率幾乎包圓了所有頂尖企業(yè)的訂單，三星只能干看著。

所以說，光刻機固然是參與2nm芯片競爭的門票，但要逆襲可不是簡單地有了門票就能隨便進場的。英特爾或許撿到了2nm光刻機這個關鍵道具，但想要逆襲還需要更多的策略和技能。

當然，提前得到這個關鍵裝備對英特爾來說是一件好事。畢竟2nm光刻機的產能有限，其他競爭對手還在瑟瑟發(fā)抖地排隊中。英特爾就像是提前買到了最搶手的新款游戲機，其他人只能眼巴巴地等待再次搶購。在芯片的世界里，一兩年的時間就足夠發(fā)生翻天覆地的變化，這就是英特爾的機會。

當然，臺積電在技術和良品率上有一些優(yōu)勢，但這就像是巧婦難為無米之炊，再先進的技術也得有光刻機來配合。目前，英特爾搶到了6臺，三星也在拼命爭取，臺積電的心思可不輕松?？磥?，2nm芯片的戰(zhàn)爭已經開始。各路豪強將展開新一輪的角逐，誰將勝出，誰將黯然離場。芯片制造市場或許將再次變天，誰能笑到最后？現(xiàn)在還真不好說，芯片制造市場的變數(shù)可大了去了。

總之，英特爾能不能實現(xiàn)逆襲，就看它能不能在這場激烈的競爭中抓住機會了，讓我們一起拭目以待。