眾所周知，目前的芯片以硅基芯片為主，即采用硅為原料，制造成晶圓，再通過(guò)光刻機(jī)、刻蝕等技術(shù)，變成祼片，再切割，封裝成一顆顆成品芯片。

硅晶圓可以說(shuō)是最重要的材料，但硅晶圓也分為很多種，并不是所有的芯片使用硅晶圓都是一樣的，一般不同的芯片類(lèi)型，有不同的硅晶圓。

比如近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所就表示，研究團(tuán)隊(duì)制備出了國(guó)內(nèi)第一片300mm射頻（RF）SOI晶圓，實(shí)現(xiàn)了0的突破。

這個(gè)SOI晶圓就是一種特色晶圓，SOI是Silicon On Insulator的簡(jiǎn)稱(chēng)，也就是硅晶體管結(jié)構(gòu)在絕緣體之上的意思。

SOI晶圓的優(yōu)點(diǎn)，就是能夠減少電流漏電，從而降低功耗，因?yàn)槟壳暗男酒╇姽模呀?jīng)占到了所有功耗的一半了，能夠減少漏電電流，就能夠大幅度降低功耗，減少發(fā)熱。

還有SOI晶圓，能夠提升時(shí)鐘頻率，所以這種晶圓，一般適用于低功率、低發(fā)熱、功耗、熱量敏感型的器件，比如射頻、功率和硅光器件這些芯片。

以前國(guó)內(nèi)是無(wú)法制造這種SOI晶圓的，全球SOI晶圓90%以上的市場(chǎng)被法國(guó)Soitec壟斷。而在SOI晶圓制造上，美國(guó)的格芯又是最牛的，所以目前全球眾多的射頻芯片，全是格芯代工的，甚至美國(guó)軍方大多數(shù)射頻器件的代工，都是格芯。

當(dāng)然，隨著工藝的不斷細(xì)分，目前SOI晶圓也分為很多種，比如FD-SOI、RF-SOI、Power-SOI、Photonics-SOI、Imager-SOI。

這些晶圓用于不同的芯片、不同的領(lǐng)域，而這次中科院制造出來(lái)的只是RF-SOI，但相信后續(xù)接下來(lái)，我們能夠制造出更多的SOI晶圓。

此外，隨著國(guó)產(chǎn)SOI晶圓的生產(chǎn)，也將推進(jìn)國(guó)內(nèi)SOI晶圓的代工生產(chǎn)等，要知道目前國(guó)內(nèi)射頻芯片發(fā)展相對(duì)落后，比如手機(jī)使用的射頻芯片，特別是高端射頻芯片，比如5G射頻芯片，國(guó)內(nèi)制造大多不出來(lái)，大量依賴(lài)進(jìn)口。

而RF-SOI晶圓的問(wèn)世，想必也能夠推動(dòng)射頻芯片的代工、封裝等與之配套的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從而減少后續(xù)對(duì)國(guó)外射頻芯片的依賴(lài)。