此前，由于制造商及內(nèi)存供應(yīng)商庫(kù)存的增加和需求惡化，存儲(chǔ)市場(chǎng)陷入了嚴(yán)重衰退期。雖然存儲(chǔ)價(jià)格還在下跌，但情勢(shì)或?qū)⒂兴棉D(zhuǎn)。TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為，預(yù)計(jì)第三季整體NAND Flash均價(jià)持續(xù)下跌約3%~8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%。

結(jié)合幾大原廠最新財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)及市場(chǎng)動(dòng)態(tài)顯示，庫(kù)存調(diào)整有所成效，市場(chǎng)出現(xiàn)了一些回溫的跡象。

三星、美光財(cái)報(bào)帶來(lái)回溫跡象？

近期，三星電子公布2023年第二季度財(cái)報(bào)的初步數(shù)據(jù)，期內(nèi)銷(xiāo)售額為60萬(wàn)億韓元，同比下降22.3%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)從上一年的14.1萬(wàn)億韓元降至6000億韓元，同比下降95.7%。行業(yè)人士認(rèn)為，雖然三星電子財(cái)報(bào)仍在持續(xù)下跌，但其利潤(rùn)降幅小于行業(yè)人士預(yù)期。

美光科技財(cái)報(bào)顯示，三季度營(yíng)收為37.5億美元，高于市場(chǎng)預(yù)期的36.9億美元，去年同期為86.4億美元，同比下降57%；利潤(rùn)率下滑16.1%，利潤(rùn)下滑幅度低于市場(chǎng)預(yù)測(cè)。

結(jié)合上述兩家大廠財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)后，業(yè)界認(rèn)為，存儲(chǔ)芯片價(jià)格在持續(xù)下跌一年多以后，庫(kù)存過(guò)剩現(xiàn)象有所緩解，市場(chǎng)出現(xiàn)了一些復(fù)蘇的跡象。美光方面表示，存儲(chǔ)芯片行業(yè)已度過(guò)低谷。


庫(kù)存壓力仍在

雖然供需在走向平穩(wěn)，但存儲(chǔ)廠商的庫(kù)存壓力仍在。

半導(dǎo)體分析師王志偉對(duì)記者表示，雖然市場(chǎng)偶有漲價(jià)的消息傳出，但是否能因此帶動(dòng)市況反轉(zhuǎn)，則仍須看整體需求和市場(chǎng)接受度。

據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，受惠于DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn)，整體DRAM供給逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐，減輕供應(yīng)商庫(kù)存壓力，預(yù)期第三季DRAM均價(jià)跌幅將會(huì)收斂至0~5%。不過(guò)，目前供應(yīng)商全年庫(kù)存應(yīng)仍處高位，今年DRAM均價(jià)欲落底翻揚(yáng)的壓力仍大，盡管供給端的減產(chǎn)有助季跌幅的收斂，然而實(shí)際止跌反彈的時(shí)間恐需等到2024年。

而在對(duì)2023年DRAM市場(chǎng)的展望中，Yole方面認(rèn)為，“宏觀經(jīng)濟(jì)的不確定性使得近期需求預(yù)測(cè)非常不穩(wěn)定”，但供應(yīng)商的積極應(yīng)對(duì)將帶來(lái)“歷史最低的產(chǎn)能增加”，市場(chǎng)將在2023年下半年恢復(fù)平衡。報(bào)告稱(chēng)，供應(yīng)商的庫(kù)存可能還需要幾個(gè)季度才能恢復(fù)正常。

王志偉認(rèn)為，從中長(zhǎng)期來(lái)看，隨著人工智能時(shí)代的到來(lái)，全球算力正在以指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，而這將直接拉動(dòng)對(duì)存儲(chǔ)的需求。

Yole預(yù)測(cè)，未來(lái)五年，數(shù)據(jù)中心對(duì)DRAM的需求將增長(zhǎng)30%以上，同期整體DRAM需求將以每年20%以上的速度增長(zhǎng)。Yole表示：“AI（人工智能）、IoT（物聯(lián)網(wǎng)）和5G（第五代移動(dòng)通信）相互交織，將為算力需求乃至DRAM需求提供強(qiáng)勁的順風(fēng)。”

NAND市場(chǎng)方面同樣不明朗。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，原廠減產(chǎn)幅度持續(xù)擴(kuò)大，實(shí)際需求未明，第三季NAND Flash市場(chǎng)仍處于供給過(guò)剩。即便下半年有季節(jié)性旺季需求支撐，但目前買(mǎi)方仍持保守的備貨態(tài)度，壓抑NAND Flash價(jià)格止跌回穩(wěn)。第三季NAND Flash Wafer均價(jià)預(yù)估將率先上漲；SSD、eMMC、UFS等模組產(chǎn)品，則因下游客戶(hù)拉貨遲緩，價(jià)格續(xù)跌，預(yù)計(jì)第三季整體NAND Flash均價(jià)持續(xù)下跌約3%~8%，第四季有望止跌回升。


HBM爭(zhēng)霸戰(zhàn)開(kāi)打

隨著ChatGPT（一種以類(lèi)人方式回答問(wèn)題的生成式人工智能聊天機(jī)器人）的興起，這又是韓國(guó)公司現(xiàn)在正在啟動(dòng)另一項(xiàng)競(jìng)爭(zhēng)場(chǎng)技術(shù)戰(zhàn)，將對(duì)高容量、高性能半導(dǎo)體（稱(chēng)為高帶寬內(nèi)存（HBM））的需求不斷增長(zhǎng)。消息表示，第二大內(nèi)存廠商SK海力士將在首爾舉行閉門(mén)投資者關(guān)系會(huì)議，向包括國(guó)家管理局補(bǔ)貼的機(jī)構(gòu)投資者和分析師介紹該芯片制造商的HBM能力。

SK表示，與早期產(chǎn)品相比，24GB封裝產(chǎn)品的內(nèi)存容量增加了50%。現(xiàn)有HBM3產(chǎn)品最大內(nèi)存容量為16GB，采用 8層配置。該公司最新的12層、24GB HBM3擁有多達(dá)約819GB的數(shù)據(jù)處理速度，能夠在秒內(nèi)傳輸163部全高清電影。

與此同時(shí)，三星計(jì)劃在年底前開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn) HBM3 芯片。

該公司高管表示，將斥資數(shù)千億韓元，到 2024 年底將天安工廠的 HBM3 芯片制造能力提高一倍。有消息人士稱(chēng)，三星將向無(wú)晶圓廠芯片設(shè)計(jì)公司AMD等客戶(hù)供應(yīng)其產(chǎn)品。

據(jù)當(dāng)?shù)厝蘇B證券稱(chēng)，到2024年，HBM3將占據(jù)其芯片銷(xiāo)售收入的18%，較今年預(yù)計(jì)的6%大幅提升。

三星芯片負(fù)責(zé)業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案部門(mén)總裁兼負(fù)責(zé)人 Kyung Kye-hyun 在本月早些時(shí)候的公司會(huì)議上表示，三星將努力控制一半以上的 HBM 市場(chǎng)。“我們收到了客戶(hù)對(duì)我們的 HBM3 產(chǎn)品的積極回應(yīng)，

三星董事長(zhǎng)李在镕（Jay Y. Lee）在 5 月份的美國(guó)之行期間會(huì)見(jiàn)了 Nvidia 創(chuàng)始人黃仁勛（Jensen Huang）， 討論了擴(kuò)大業(yè)務(wù)合作伙伴關(guān)系的方法，特別是在 GPU和AP方面。

三星和SK海力士都希望他們的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)能夠通過(guò)HBM等大容量芯片容量的增加實(shí)現(xiàn)盈利。HBM芯片垂直互連多個(gè)DRAM芯片，與傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品相比，可大幅提高數(shù)據(jù)處理速度，其價(jià)格至少是 DRAM 的五倍。

分析師預(yù)計(jì)，三星芯片部門(mén)和 SK 海力士將在本周晚些時(shí)候公布業(yè)績(jī)時(shí)，點(diǎn)亮運(yùn)營(yíng)杠桿將分別達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 8.5 萬(wàn)億韓元（合65億美元）和6.3萬(wàn)億韓元。


國(guó)產(chǎn)實(shí)力相差懸殊

HBM需求爆發(fā)，三星、SK海力士、美光三大存儲(chǔ)芯片巨頭正在將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至生產(chǎn)HBM，但由于調(diào)整產(chǎn)能需要時(shí)間，很難迅速增加HBM產(chǎn)量，預(yù)計(jì)未來(lái)兩年HBM仍將供應(yīng)緊張。

不過(guò)，在HBM領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商布局不大，只有一些廠商涉及封測(cè)。比如，國(guó)芯科技正在研究規(guī)劃合封多HBM內(nèi)存的2.5D的芯片封裝技術(shù)，積極推進(jìn)Chiplet技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用；通富微電在建先進(jìn)的2.5D/3D先進(jìn)封裝研發(fā)及量產(chǎn)基地，將實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)在HBM高性能封裝技術(shù)突破；華海誠(chéng)科生產(chǎn)的顆粒狀環(huán)氧塑封料(GMC)可以用于HBM的封裝，相關(guān)產(chǎn)品已通過(guò)客戶(hù)驗(yàn)證，現(xiàn)處于送樣階段。

總的來(lái)說(shuō)，國(guó)內(nèi)HBM內(nèi)存芯片與國(guó)際巨頭的差距還是非常大。