眾所周知，目前在所有的國產半導體設備之中，光刻機應該是最落后的一環了。

從之前機構出具的數據來看，少部分的國產半導體設備已經支撐到了5nm，大部分的設備支撐到28nm左右，只有國產光刻機還處于90nm。

這臺國產的光刻機屬于干式光刻機，采用193nn光源，以空氣為介質。而在干式光刻機之上，還有浸潤式光刻機，EUV光刻機這兩種更先進的光刻機。

不過，近年來，我們也在很多媒體上，不斷的看到國產EUV光刻機有突破，什么長春光電所研發的EUV光刻技術得到了驗收，哈工大的光刻機的工作臺系統有突破等。很多人都認為，國產EUV光刻機，可能也不遠了。

事實上，研發一臺EUV光刻機并沒這么簡單，國內的機構其實已經研究了20多年，目前也僅僅只是摸到門檻而已，離真正的生產還差得很遠。

從技術原理來看，光刻機有三大核心，分別是光源系統、物鏡系統，工作臺。

而國內最早研發EUV光刻機，可以追溯到2002年，當年長春光電所就開始研發EUV光刻機，針對其原理，研發對應的裝置。

而除了長春光電所之外，還有中科院、北京理工大學、哈爾濱工業大學、華中科技大學等多個研究所和高校，也參與了EUV光刻機研發工作。

這些研究機構，分別研究不同的系統，有研究光源系統的，有研究物鏡系統的，有研究工作臺系統的，還有研究控制系統、掩膜板的。

但大家都清楚，目前ASML的EUV光刻機，超過10萬個零件，全球超過5000家供應商，而這些零部件供應商遍布全球。

中國想要靠一個國家，就研發出這些元件出來，你想一想就知道中間有多么的難了。

更何況有些系統/技術，以國內的技術基礎，目前根本沒法搞定，比如EUV光源，物鏡系統，目前國內的科技水平，是暫時達不到EUV光刻機的要求的。

國內眾多的研究機構，雖然研發投入大，時間長，但是不黑不吹，研發出來的技術，更多的屬于是極紫外光刻系統的基礎建設工作。

而從基礎建設工作，到最終生產出EUV光刻機出來，中間還隔了千里萬里。ASML的EUV光刻機中，荷蘭腔體占20%，英國真空占12%，美國光源占27%，德國光學系統占14%， 日本的材料占27%。

EUV光刻機，其實就是荷蘭、英國、美光、德國、日本等廠商，甚至說是整個芯片產業鏈的意志體現。

之前我看到有位博主說，國產EUV光刻機要突破，首先要避免自嗨。我覺得說的太對了，研發EUV光刻機并沒有這么容易，20多年了，我們研發的都還只是一些基礎性的工作，可以說只是摸到門檻而已，要突破真沒這么容易，大家雖然不需要妄自菲薄，但也不能盲目樂觀，需要實事求是的精神。