眾所周知，緊隨美國、日本之后，荷蘭也出臺了關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備/技術(shù)的禁令。

分析荷蘭的這個禁令，可以看出來，與美國之前的步調(diào)基本一致的，那就是對14nm及以下工藝的設(shè)備，全部堵住。

不過在浸潤式光刻機上，還留了一道口子，沒有全部禁止，其中NXT:1800Di這臺浸潤式光刻機，不屬于管制范圍，還是可以出口的。

而根據(jù)媒體的說法，這臺NXT:1800Di光刻機，采用的是193nm波長，38nm分辨率、1.35NA數(shù)值孔徑，在多次曝光之下，可以實現(xiàn)最高7nm的工藝，之前臺積電的第一代7nm工藝，就是基于這臺光刻機實現(xiàn)的。

于是很多網(wǎng)友表示，這樣看來，我們還是有希望馬上進入到7nm工藝的，沒有全部堵死，這可能也是荷蘭特意留給我們的一個機會了。

不過，網(wǎng)友的想法是美好的，但現(xiàn)實卻是很骨感的，對于當(dāng)前的中國芯片產(chǎn)業(yè)而言，要進入7nm工藝，并不太現(xiàn)實，別說使用這臺NXT:1800Di光刻機了，就算買到EUV光刻機，都制造不了7nm芯片。

采用NXT:1800Di光刻機需要多次曝光，目前多次曝光技術(shù)有三種，分別是LELE、LFLE、SADP，但不管哪一種，都對刻蝕、 沉積等工藝有非常高的技術(shù)要求，同時成本也要高2-3倍，明顯對我們并不適用。

更重要的是，芯片制造，并不僅僅看光刻機的精度，還需要其它設(shè)備、材料都達到先進的工藝。因為芯片從硅晶圓到成品芯片，中間需要幾十種設(shè)備，幾百道工序。

最簡單的來講，像擴散、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、CMP拋光、金屬化等這些設(shè)備，全部要達到7nm工藝才行，還有光刻膠、靶材等，也都要支持7nm工藝。

這些設(shè)備、材料等，我們國產(chǎn)的大多還是在28nm、14nm甚至40nm，要實現(xiàn)7nm工藝，絕大部分都需要進口，但是目前先進工藝的設(shè)備/技術(shù)的進口，基本上都是被卡住的。

國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備情況

所以，不黑也不吹，靠進口的這一臺NXT:1800Di光刻機，短時間之內(nèi)是實現(xiàn)不了7nm的，甚至就算ASML放開購買，就算我們買到了EUV光刻機，不需要采用多重曝光技術(shù)來制造7nm芯片，也一樣生產(chǎn)不了7nm的芯片，因為其它設(shè)備、材料同樣的是被卡住的。

說實話，國產(chǎn)芯片要突破，我們不能將希望寄托在荷蘭放開限制，讓我們買EUV光刻機身上，而是要放在國產(chǎn)供應(yīng)鏈的突破身上。

只有國產(chǎn)供應(yīng)鏈全面突破，從光刻機到各種半導(dǎo)體設(shè)備、各種半導(dǎo)體材料，全部實現(xiàn)了7nm工藝，才是真正的無后顧之憂，否則都是假象，別人一卡就死，你覺得呢？