眾所周知，美國打壓中國的芯片產(chǎn)業(yè)，有著明顯的目標，針對邏輯芯片、DRAM內存，NAND存儲芯片這三種產(chǎn)品，有著明確的目標：

1. 采用16nm或14nm及以下非平面FinFET或GAAFET晶體管結構的邏輯芯片；

2. 半間距小于等于18nm的DRAM存儲芯片；

3. 128層及以上的NAND閃存芯片。

而生怕封鎖不到位，美國在今年，還聯(lián)手日本、荷蘭一起對半導體設備進行限制。

之前日本的半導體設備出口限制已經(jīng)發(fā)布出來了，一共是23種半導體設備被列入了限制出口清單，7月23日起開始實施。

而近日，荷蘭的半導體設備出口限制也正式發(fā)布，該措施將于2023年9月1日正式生效。

那么問題來了，荷蘭的這個半導體設備禁令，對我們的芯片產(chǎn)業(yè)影響有多大？

從荷蘭的新規(guī)則來看，管制的對象主要為先進的芯片制造技術，包括先進的沉積設備和浸潤式光刻系統(tǒng)，而受限制的企業(yè)，主要是ASML和ASM International。

從具體的設備來看，用于EUV技術的所有設備、技術、材料，都是不能出口的，比如EUV光刻機，EUV光罩保護膜、EUV光罩保護膜生產(chǎn)設備。

而在光刻機上，波長小于193nm的光刻機，是不允許出口的，也就是EUV光刻機是不行的。

而針對193nn的光刻機，則加了限制條件，如果能夠生產(chǎn)45nm或更小分辨率，且小于或等于1.50nm最大專用卡盤覆蓋值（DCO值）的光刻機，則不能出口。

浸潤式光刻機，采用的是193nm光線，其中分辨率小于45nm，同時DCO值小于等于1.5nm的全部不能出口。

但其中其NXT1980系列，其分辨率為38納米左右，但是其DCO值是小于等于1.6nm，所以不受限制，能夠出口，與之前ASML說的一致，浸潤式光刻機中，這一款能夠出口。

另外，還有用于金屬剝離的原子層沉積（ALD）設備、設計用于硅（Si）、碳摻雜硅、硅鍺（SiGe）或碳摻雜SiGe外延生長的設備，以及一些先進的設備、技術、軟件等，都被限制出口，如果需要購買這些設備/技術，需要許可證才行。

但總體來看，針對的還是14nm及以下的工藝，對于成熟工藝，并沒有太多的限制，與美國之前的目標差不多，那就是以鎖死14nm工藝為基本目標。

從美、日、荷三國的禁令來看，14nm及以下的設備，短時間之內，我們是無法從國外買到了，只能靠自己，如果自主產(chǎn)業(yè)鏈不能突破，那么我們就會一直被困在14nm以上。

而這估計也是中芯之前官方下線14nm工藝介紹的原因，因為確實短時間來看，14nm工藝可能是一道坎，跨不過，所以暫時下線。

而14nm以上的設備，暫時還是不受限制的，我們可以從國外買到相關設備，所以在成熟工藝上，倒不需在太擔心。

可見，接下來，國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)在進入先進工藝方面，已經(jīng)沒有任何捷徑可走，放棄一切幻想，唯有不斷突破，實現(xiàn)全面的自主可控，一步一個腳印前進才行了。