近年來，手機，相機等消費設備使用NAND的需求不斷增加。更高密度的NAND芯片，能加速數據密集型環境和工作負載，例如人工智能 (AI) 引擎和大數據分析。對于 5G 智能手機，更大的容量可以更快地啟動和切換多個應用，實現更快的移動體驗和更快的多任務處理。

近日，SK海力士宣布已開始量產238層4D NAND閃存，并正在與生產智能手機的海外客戶公司進行產品驗證。

238層NAND閃存特性

238 層“4D Nand”實際上是 3D 的一種形式，238 層NAND器件采用電荷陷阱閃存(CTF) 設計，并采用該公司專有的外圍單元 (PUC) 布局，SK海力士將其標記為“4D”NAND。這種特殊的布局可以減小存儲設備的尺寸，從而有助于進一步降低 SK 海力士 NAND 的成本。

海力士表示，其首款238層3D NAND產品是一款512Gb(64GB)3D TLC，其制造效率比公司176 層 3D NAND 節點上制造的同類產品高34%。

假設238LTLC NAND的良率足夠高，它將顯著降低比特成本，最高可降34%，從而提高產品的成本競爭力。

除了比前代產品更小外，據說新產品在讀取期間的功耗降低了 21%，這對移動 PC 和智能手機來說都是一個好處。

SK海力士指出：“公司以238層NAND閃存為基礎，成功開發適用于智能手機和PC的客戶端SSD（Client SSD）解決方案產品，并在5月已開始量產。

從性能角度來看，SK海力士238層TLC NAND IC的關鍵優勢在于其2400 MT/s的接口速度，這比上一代增加了50%，這是構建順序讀/寫速度為12 GB/s 或更高的SSD 所需要的性能，因為具有 1600 MT/s 接口的 3D NAND的傳輸速率無法滿足 PCIe Gen5 x4 接口。

238層NAND的規格如下：

SK 海力士 TLC NAND	238層NAND	176層NAND
層數	238	176
deck	2 (x119)	2 (x88)
容量	512千兆(64GB)	512千兆(64GB)
芯片尺寸 (mm2)	35.58	~47.4
密度 (Gbit/mm2)	～14.39	10.8
輸入/輸出速度	2.4GT/秒（ONFi 5.0）	1.6GT/秒（ONFi 4.2）
CuA/PuC	使用	使用

• 238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片，生產效率比上一代的176層提升了34%，成本競爭力得到了大幅改善。

• 238層NAND閃存的數據傳輸速度為每秒2.4Gb，比上一代的速度快50%。并且也改善了約20%的讀寫性能，由此公司自信，可將為采用該產品的智能手機和PC客戶提供更高的性能。

另外，NAND閃存有SLC（Single Level Cell，1）、MLC（Multi Level Cell，2）、TLC（Triple Level Cell，3）、QLC，這取決于一個cell存儲多少信息。一個cell能存儲的信息越多，同一區域能存儲的數據就越多。.

從智能手機走向數據中心

SK海力士是去年8月宣布成功開發出世界最高238層NAND閃存。

公司在176層甚至在238層產品，都確保了成本、性能和品質方面的世界頂級競爭力，期待這些產品在下半年能夠起到改善公司業績的牽引作用?！?/span>

SK海力士計劃在完成智能手機客戶公司的驗證后，首先向移動端產品供應238層NAND閃存，隨后將其適用范圍擴大到基于PCIe 5.0的PC固態硬盤（SSD）和數據中心級高容量固態硬盤產品等。

SK海力士238層NAND擔當副社長金占壽表示：“公司今后將繼續突破NAND閃存技術局限，并加強競爭力，在即將到來的市場反彈周期迎來大轉機?！?/span>

競爭對手信息

SK海力士現一舉成為全球首家將 238 層 4D NAND 商業化的芯片制造商，但存儲行業的競爭依然血雨腥風。

2020 年 11 月，美光科技公司宣布開發出 176 層 3D NAND 閃存，在大多數玩家關注 128 層 NAND 的情況下，成為當時全球最高密度的芯片，震驚了市場。去年，美光公司開始大批量生產232層NAND芯片。內存市場龍頭三星也誓言要大力投資NAND業務，以拉大與競爭對手的差距。三星去年 11 月表示，它開始批量生產第八代 1 Tb 垂直 NAND (V NAND) 芯片，行業認為其為236 層。

SK 海力士表示，它還計劃在不久的將來推出雙倍容量的 1Tb、238 層 NAND 產品。