4月20日消息，據(jù)華爾街日報報道，全球最大的晶圓代工廠臺積電正在尋求高達150億美元的美國芯片補貼，同時希望能夠豁免美國政府的一些限制條件。

據(jù)知情人士透露，根據(jù)美國《芯片法案》的規(guī)定，計劃向美國亞利桑那州投資400億美元建設(shè)兩座先進制程晶圓廠的臺積電，預(yù)計將獲得約70億至80億美元的稅收抵免。此外，臺積電還正在尋求獲得直接的資金補貼撥款。在這方面，美國商務(wù)部有廣泛的自由裁量權(quán)來判斷誰應(yīng)該獲得撥款以及在什么條件下獲得撥款。

知情人士表示，臺積電正在考慮為亞利桑那州的兩家工廠申請約60億至70億美元的直接撥款，使美國政府的支持總額（含稅收抵免）高達150億美元。

臺積電想拿到美國的芯片補貼，是因為它在美國的晶圓廠的建設(shè)成本高昂。今年1月，臺積電首席財務(wù)官黃文德表示，美國的某些建廠成本是中國臺灣的幾倍。臺積電創(chuàng)始人張忠謀（Morris Chang）此前也曾表示，與中國臺灣相比，在美國亞利桑那州制造芯片的成本可能至少要高出50%。

但是，臺積電對于申請美國芯片補貼需要提供詳細賬目和運營信息，并分享超額利潤等限制規(guī)定感到擔(dān)憂，并希望獲得豁免一些限制條款。

根據(jù)此前美國公布的《芯片與科學(xué)法案》顯示，配套的527億元美元的補貼計劃當(dāng)中，將有390億美元作為“芯片制造補貼”。不久前美國商務(wù)部出臺了針對申請“芯片制造補貼”的限制條款，其中有幾項“超預(yù)期”的要求引發(fā)了業(yè)界的憂慮。

比如，要求申請超過1.5億美元直接資金補貼的芯片制造商要附上詳細財務(wù)信息和財務(wù)預(yù)測，并與美國聯(lián)邦政府分享特定比例的“超乎預(yù)期”獲利；要求申請芯片補貼的企業(yè)，禁止在未來10年內(nèi)，將在中國大陸與俄羅斯等 “受關(guān)注國家” 的先進制程的產(chǎn)能擴大超過 5%，包括對在先進產(chǎn)能的投資設(shè)定 100,000 美元的支出上限，同時限制將成熟制程的產(chǎn)能擴大超過10%。

美國商務(wù)部表示，其針對申請“芯片法案”補助的限制條款旨在保護美國納稅人，并確保接受補貼的公司按照承諾使用納稅人的補助金，并表示如果公司不遵守限制條款，它將收回這筆錢。

臺積電董事長劉德音在今年3月30日召開的中國臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會的會員大會上就曾明確表示，美國“芯片法案”補助有些限制條件是沒有辦法接受的，希望能夠調(diào)整到不會受負面影響，將繼續(xù)與美國政府進行討論。

目前，臺積電正積極與美國政府就相關(guān)限制條款進行談判。因為在這一領(lǐng)域，美國商務(wù)部有廣泛的自由裁量權(quán)來判斷誰應(yīng)該獲得撥款以及在什么條件下獲得撥款。

據(jù)知情人士透露，臺積電擔(dān)心，如果政府限制其潛在利潤，亞利桑那州項目的經(jīng)濟效益可能無法發(fā)揮作用，而且在計算全球制造業(yè)中一兩家工廠的利潤時也會遇到問題。

對此，美國商務(wù)部曾表示，在特殊情況下，可以放棄利潤分享要求，并將根據(jù)具體情況制定條款。

另外，美國政府要求臺積電提供賬目和運營情況也一個癥結(jié)所在，尤其是在一個傾向于對客戶身份等基本信息進行保密的行業(yè)。

作為蘋果、AMD、高通、聯(lián)發(fā)科、英偉達、英特爾等眾多芯片巨頭的芯片代工制造商，臺積電了解他們以及許多世界頂級消費科技公司的商業(yè)計劃和產(chǎn)品藍圖。臺積電需要嚴(yán)格保護其客戶的芯片制造信息，包括其使用的設(shè)備和材料類型，以防止競爭對手模仿它。

知情人士表示，臺積電不希望此類信息泄露給外界。如果提供給美國政府，則將存在“泄露”的可能，雖然美國商務(wù)部表示會保護相關(guān)機密信息。

一名美國商務(wù)部官員也表示，商務(wù)部將嚴(yán)格保護申請補貼的廠商的機密商業(yè)信息，并且只有在收款人的現(xiàn)金流大幅超過預(yù)測的情況下才需要分享利潤。

與臺積電一樣，三星和SK海力士這兩家韓國公司對于美國的芯片補貼限制條款感到不安，他們特別擔(dān)心，如果他們接受美國的補貼，將限制他們在中國大陸高端芯片制造方面的投資。而在此之前他們在中國大陸已經(jīng)投資了數(shù)十億乃至上百億美元。

例如，三星在中國西安擁有一座NAND Flash 工廠，在蘇州有營運著一座封裝廠。而 SK 海力士則在中國無錫則是營運 DRAM 生產(chǎn)工廠，并藉在 2020年收購了英特爾在大連的 NAND Flash 工廠。

根據(jù)調(diào)研機構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)顯示，截至 2022 年為止，三星西安工廠約占全球 NAND Flash總產(chǎn)量的16%，而 SK 海力士無錫工廠約占全球 DRAM總產(chǎn)量的 12%，其大連工廠則是占 NAND Flash產(chǎn)量的6%。

計劃在美國投資150億美元新建先進半導(dǎo)體封裝廠的SK海力士也因為美國芯片補貼的限制條款而憂慮。SK海力士CEO樸正浩在不久前的股東會后接受媒體訪問時表示，美國芯片法案的半導(dǎo)體資金補貼申請過程相當(dāng)困難。因為SK海力士在美國興建的工廠是做封裝的，這使得公司無法進一步計算出美國政府要求提供的總產(chǎn)量信息。所以，將會更多地考慮是否進行資金補貼的申請。

對于臺積電來說，美國芯片補貼對于其在中國大陸擴產(chǎn)限制問題的影響可能相對較小。目前，臺積電在中國南京和上海各運營著一座晶圓代工廠，其2021年宣布的南京廠28nm擴產(chǎn)計劃預(yù)計將于今年年中完成。未來相當(dāng)長一段時間在中國大陸應(yīng)該不會有擴產(chǎn)計劃。而且臺積電的上海和南京工廠合計占該公司總代工晶圓產(chǎn)能的比重也僅有6%左右。