因來自電動車（EV）的需求旺，日本三菱電機（Mitsubishi Electric）將砸千億日圓、蓋新廠，增產碳化硅（SiC）功率半導體，對功率半導體事業的設備投資計劃將倍增。

三菱電機3月14日宣布，將增產SiC功率半導體，主因EV用需求旺，帶動市場預估將呈現急速成長。三菱電機將投資約1,000億日圓，在熊本縣菊池市的現有工廠廠區內興建新廠房，該座新廠將導入8吋SiC晶圓產線，預計2026年4月啟用生產，三菱電機并將擴增位于熊本縣合志市的工廠的6吋晶圓產能。

日媒指出，藉由上述增產投資，2026年度時，三菱電機SiC晶圓產能將擴增至2022年度的約5倍水平。

三菱電機指出，包含上述投資計算，2021-2025年度的5年期間，該公司對功率半導體事業的設備投資計劃合計將達2,600億日圓，投資規模將較原先計劃值（1,300億日圓）倍增。

半導體制造工程可大致分為在硅晶圓上形成電路的「前段制程」和進行組裝、封測等的「后段制程」，而三菱電機上述位于熊本縣的2座據點皆屬于「前段制程」據點。在「后段制程」部分，三菱電機計劃投資約100億日圓在「Power Device Manufacturer（位于福岡市）」內興建新廠房。

日媒報導，2021年三菱電機SiC功率半導體全球市占率排第6，在日廠中、僅次于位居第四位的Rohm。富士電機、東芝也擠進全球前10大之列，龍頭廠為瑞士STMicroelectronics。