據中國科學院金屬研究所（“金屬所”）官網顯示，金屬所近期與沈陽材料科學國家研究中心與國內多家單位合作，研究團隊通過設計二維半導體與二維鐵電材料的特殊能帶對齊方式，將金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）與非隧穿型的鐵電憶阻器垂直組裝，首次構筑了基于垂直架構的門電壓可編程的二維鐵電存儲器。

據了解，基于垂直架構的二維納米電子學器件，已經成為當前延續摩爾定律的一個重要研究方向。迄今為止，針對鐵電二維材料憶阻晶體管的研究仍然匱乏，尤其是具有垂直構型的門電壓可調的憶阻器件的研究一直缺失，主要原因是傳統基于隧穿架構的二維憶阻器難以在垂直方向兼具更高性能和有效柵極調控特性。

為此，研究團隊使用二維層狀材料CuInP2S6作為鐵電絕緣體層，利用二維層狀半導體材料MoS2和多層石墨烯分別作為鐵電憶阻器的上、下電極層，形成金屬/鐵電體/半導體（M-FE-S）架構的憶阻器；同時，在頂部半導體層上方通過堆疊多層h-BN作為柵極介電層引入了MOSFET架構。底部M-FE-S憶阻器件開關比超過105并且具有長期數據存儲能力，且阻變行為與CuInP2S6層的鐵電性存在較強耦合。

此外，研究人員通過制備3×4的陣列結構，展示了該型鐵電憶阻器件應用于存儲交叉陣列的可行性。研究人員進一步通過在上方MOSFET施加柵極電壓，有效調控了二維半導體層MoS2的載流子濃度（或費米能級），從而對下方M-FE-S憶阻器的存儲性能進行操控。基于以上結果，研究人員展示了該型器件的門電壓可調多阻態的存儲特性。

研究所展示的門電壓可編程的鐵電憶阻器有望在未來人工突觸等神經形態計算系統中發揮重要作用，并可能引發基于二維鐵電材料制備多功能器件的開發。此外，該工作所提出的MOSFET與憶阻器垂直集成的架構可以進一步擴展到其他二維材料體系，從而獲得性能更加優異的新型存儲器。