6月15日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，日本將與美國合作，最早在 2025 財(cái)年啟動本土2nm半導(dǎo)體制造基地，加入下一代芯片技術(shù)商業(yè)化的競賽。據(jù)悉，日本和美國將根據(jù)雙邊芯片技術(shù)伙伴關(guān)系提供支持。兩國私營企業(yè)將進(jìn)行設(shè)計(jì)和量產(chǎn)研究。

目前，臺積電在開發(fā) 2nm芯片的量產(chǎn)技術(shù)方面處于領(lǐng)先地位，該公司預(yù)計(jì)今年將在 2 納米制造設(shè)施上破土動工，并有望在今年晚些時候開始大規(guī)模制造 3nm芯片。 不過美國英特爾公司也在加速追趕，并計(jì)劃于2024年搶先臺積電量產(chǎn)Intel 20A工藝（2nm工藝）。此外，美國的IBM在去年也率先推出了2nm的樣片。日本希望通過與美國合作，實(shí)現(xiàn)下一代尖端芯片的本土生產(chǎn)來尋求穩(wěn)定的半導(dǎo)體供應(yīng)。

根據(jù)計(jì)劃，日本和美國企業(yè)聯(lián)合成立一家新公司，或者日本公司可以建立一個新的制造中心，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將部分補(bǔ)貼研發(fā)成本和資本支出。聯(lián)合研究最早將于今年夏天開始，2025財(cái)年至2027財(cái)年將形成一個研究和量產(chǎn)中心。

目前，全球最大的代工芯片制造商臺積電正在日本熊本縣建設(shè)芯片工廠，但該工廠將只生產(chǎn)從 10nm 到 20nm 范圍的不太先進(jìn)的半導(dǎo)體。

工藝制程越先進(jìn)的半導(dǎo)體可以進(jìn)一步推動設(shè)備的小型化和改進(jìn)性能。2nm芯片將用于數(shù)據(jù)中心和尖端智能手機(jī)等產(chǎn)品。這些芯片還降低了功耗，減少了碳足跡。此外，先進(jìn)制程的芯片也能夠決定軍事硬件的性能，包括戰(zhàn)斗機(jī)和導(dǎo)彈。鑒于此，2nm 芯片與國家安全也直接相關(guān)。

今年5月初，日美簽署了半導(dǎo)體合作基本原則。雙方將在即將舉行的“二加二”內(nèi)閣經(jīng)濟(jì)官員會議上討論合作框架的細(xì)節(jié)。

日本內(nèi)閣上周批準(zhǔn)的首相岸田文雄的“新資本主義”議程概述了通過與美國的雙邊公私合作在這十年中形成設(shè)計(jì)和制造基地 。日本希望本土的Tokyo Electron 和佳能等芯片制造設(shè)備制造商與 IBM、英特爾和臺積電一起參與了這一集體活動。

此外，日本還擁有信越化學(xué)和 Sumco 等強(qiáng)大的芯片材料制造商，而美國則擁有應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)等芯片制造設(shè)備巨頭。芯片制造商和主要供應(yīng)商之間的這種合作旨在使 2nm芯片的量產(chǎn)技術(shù)觸手可及。