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JSM21844STR4A 700V帶SD功能高低側柵極驅動芯片

在電力電子設計領域，IR21844 作為經典的高壓柵極驅動芯片，曾是眾多工程師的 “老朋友”。但隨著工業場景對電壓、電流、抗干擾能力的要求不斷提升，一款能全面替代且性能更優的芯片逐漸走進視野 —— 來自杰盛微的 JSM21844STR。從《JSM21844STR SOP-14.pdf》文檔中不難發現，這款 4A/700V 帶 SD 功能的高低側柵極驅動芯片，在核心參數、保護機制、應用適配性上都實現了突破，完美承接 IR21844 的應用場景，更能應對升級后的需求。

2025-08-29 閱讀：718 關鍵詞：高壓柵極驅動芯片 JSM21844STR 參數性能應用場景選型建議

JSM2184STR 4A 700V集成自舉帶SD功能柵極驅動芯片

在工業電機驅動、電動工具、電源轉換系統等高壓功率場景中，柵極驅動芯片就像 “功率器件的大腦”，直接決定了整個電路的穩定性、效率與安全性。長期以來，IRS2184 作為經典的高壓柵極驅動方案，占據了不少市場份額。但隨著國內半導體技術的飛速發展，杰盛微半導體推出的JSM2184STR憑借更優的性能、更完善的保護機制與高兼容性，成為了 IRS2184 的理想替代型號，今天就帶大家全面拆解這款 “國產高壓驅動新星”。

2025-08-28 閱讀：426 關鍵詞： JSM2184STR IRS2184 高壓功率場景，國產替代驅動，高壓柵極芯片，多場景適配，集成自舉二極管

JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側同相柵極驅動芯片

在功率電子領域，高壓柵極驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了電機驅動、電源轉換等系統的可靠性與效率。一直以來，IRS21867 作為經典的 4A700V 高低側驅動芯片，廣泛應用于工業與家電場景，但國產替代需求的日益增長，也推動著本土半導體企業推出更具競爭力的產品。杰盛微半導體（JSMSEMI）研發的JSM21867STR，正是一款對標 IRS21867 的集成 BSD 單相高低側同相柵極驅動芯片。它不僅在封裝、核心參數上與 IRS21867 高度兼容，更在保護機制、電氣特性與設計適配性上實現優化，為工程師提供了高性價比的國產替代新選擇。今天，我們就從參數對比、性能優勢、設計指南與應用場景四個維度，全面解析這款 “國產強芯”。

2025-08-27 閱讀：630 關鍵詞：高壓柵極驅動芯片 JSM21867STR 國產替代電機驅動應用場景

JSM6287系列1.5A 250V三相高同低反邏輯功率預驅動芯片

在功率電子領域，驅動芯片是連接控制信號與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整個系統的效率、可靠性與穩定性。今天要為大家介紹的，是杰盛微（JSMSEMI）推出的 JSM6287 系列功率預驅動芯片 —— 一款專為高壓、高速場景設計的 1.5A/250V 三相高同低反邏輯芯片，憑借單芯片集成、寬適配性、強防護等優勢，已成為電機控制、逆變器等領域的優選方案。

2025-08-25 閱讀：659 關鍵詞：功率預驅動芯片 JSM6287 電機控制逆變器驅動性能

JSM21867STR 4A 700V集成BSD單相高低側同相柵極驅動芯片

在功率電子領域，柵極驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接決定了整機的效率、可靠性與安全性。今天給大家推薦一款國產高性能驅動芯片 ——JSM21867STR，來自杰盛微半導體（JSMSEMI），不僅參數硬核，更能直接替代 IRS21867，為電機驅動、電源轉換等場景提供高性價比解決方案。

2025-08-22 閱讀：1414 關鍵詞： JSM21867STR IRS21867 柵極驅動芯片替代優勢多場景應用

JSM21864STR4A700V單相高低側同相柵極驅動芯片

在電子工程師的日常研發中，“芯片替代” 往往是繞不開的課題 —— 供應鏈波動、成本控制、性能升級等需求，都可能讓一款成熟產品的核心器件面臨替換。而在高壓柵極驅動領域，IRS21864 作為經典型號，其替代選型更是備受關注。今天，我們就來深度解析一款來自杰盛微（JSMSEMI）的高性價比替代方案 ——JSM21864STR，從參數匹配到場景適配，全方位驗證它為何能成為 IRS21864 的 “理想平替”。

2025-08-21 閱讀：577 關鍵詞： JSM21864STR IRS21864 芯片替代高壓柵極驅動多場景適配

JSM2183STR4A 700V集成自舉高側同低側反驅動芯片

在工業控制、家電變頻、電機驅動的世界里，功率驅動芯片就像 “神經中樞”，決定著整個系統的穩定性、效率與安全性。長期以來，IR2183 作為經典的高低側驅動芯片，在市場中占據重要地位。但隨著技術迭代與應用需求升級，一款更具性能優勢的替代方案已悄然崛起 ——JSM2183STR 4A700V 集成自舉高側同低側反驅動芯片。今天，我們就來深入解析這款國產芯片如何憑借兩大核心優勢，成為 IR2183 的理想替代者，為工程師們的設計之路降本增效。

2025-08-18 閱讀：577 關鍵詞： JSM2183STR 功率驅動芯片高壓大電流多重保護國產替代

JSM21814STRPBF 700V大電流高、低側MOSFET/IGBT驅動芯片

在電力電子領域，一款穩定可靠的驅動芯片是系統高效運行的核心保障。今天為大家推薦一款性能卓越的替代方案 ——JSM21814STRPBF，它可完美替代 IRS21814STRPBF，憑借 700V 高壓支持、大電流驅動能力和多重保護設計，成為電機控制、逆變器等場景的理想之選

2025-08-16 閱讀：749 關鍵詞： JSM21814STRPBF 驅動芯片高壓大電流多重保護應用廣泛

JSM2181STR 700V單相高低側柵極驅動芯片

在功率電子領域，柵極驅動芯片如同系統的 “神經中樞”，直接決定著功率器件的開關性能與系統可靠性。長期以來，IRS2181 作為經典的 600V 半橋驅動芯片，憑借穩定的性能占據著不小的市場份額。但隨著高壓應用場景的不斷拓展，一款名為 JSM2181STR 的 700V 單相高低側柵極驅動芯片正憑借更優異的性能參數，成為工程師眼中替代 IRS2181 的理想之選。今天我們就從技術參數、保護機制、應用適配等維度，全面解析這款國產驅動芯片的硬核實力。

2025-08-16 閱讀：428 關鍵詞： JSM2181STR 柵極驅動芯片 700V高壓多重保護廣泛應用

JSM27710DR單相高低側功率MOSFET/IGBT驅動芯片

在功率電子技術飛速發展的今天，驅動芯片作為功率器件的 “大腦”，其性能與可靠性直接決定了整個電子系統的穩定性。面對市場對高性價比、高兼容性功率驅動方案的迫切需求，國內領先的半導體企業杰盛微（JSMSEMI）正式推出重磅產品 ——JSM27710DR 單相高低側功率 MOSFET/IGBT 驅動芯片，作為 UCC27710DR 的完美替代型號，為工程師們帶來更可靠、更適配的技術選擇！

2025-08-12 閱讀：723 關鍵詞： JSM27710DR 功率驅動芯片 UCC27710替代產品特性應用場景

JSM2104STR700V 集成自舉帶SD功能單相高低側柵極驅動芯片

在功率電子領域，柵極驅動芯片是連接控制電路與功率器件的 “橋梁”，其性能直接影響系統的穩定性、效率與可靠性。今天給大家推薦一款國產高性價比柵極驅動芯片 ——JSM2104STR，它不僅性能優異，更是 EG2104 的理想替代型號，輕松適配各類功率應用場景。

2025-08-12 閱讀：738 關鍵詞： JSM2104STR 柵極驅動芯片 EG2104替代產品特性應用場景

芯片超人花姐親臨杰盛微，共探半導體新征途

半導體行業的 “芯片超人” 花姐，自 2005 年入行深耕芯片領域 17 年，經手超 10 億采購額，積累了深厚行業資源。2017 年創立 “芯片超人” ，憑借專業內容收獲全網 50 萬 + 粉絲，成為行業知名 KOL。她帶領團隊打造芯片供應鏈服務平臺，為近 4000 家 B 端客戶提供撮合交易、國產替換等服務，是半導體領域極具影響力的實干者。

2025-08-09 閱讀：809 關鍵詞：杰盛微半導體芯片超人花姐半導體行業國產替代技術創新