一、產品核心亮點：為什么選 JSM2104STR？

JSM2104STR 是杰盛微半導體推出的700V 集成自舉帶 SD 功能的單相高低側柵極驅動芯片，專為高壓高速功率 MOSFET 驅動設計。它的核心優勢集中在以下幾點：

• 高壓高可靠：浮地通道最高工作電壓達 700V，dVs/dt 耐受能力達 50V/ns，輕松應對高壓瞬變場景，穩定性拉滿。

• 寬邏輯兼容：支持 3.3V、5V、15V 輸入邏輯，無需額外電平轉換電路，適配主流控制芯片（如 MCU、DSP）。

• 智能保護機制：集成 VCC 欠壓鎖定（UVLO）、防止直通保護（死區時間 520ns），從源頭避免功率器件損壞。

• 高效驅動能力：輸出級拉電流 300mA、灌電流 600mA，快速開關 MOSFET，降低開關損耗。

• 寬溫工作：-40℃~125℃工業級溫度范圍，適配惡劣環境下的電機控制、逆變器等應用。

二、核心產品特性

三、與 EG2104 替代對比：參數完美匹配

作為 EG2104 的替代型號，JSM2104STR 在關鍵參數上高度兼容，同時部分性能更優。以下是兩者核心參數對比表：

四、適用場景：哪里能用到它？

憑借優異的高壓驅動性能和可靠保護機制，JSM2104STR 廣泛適配以下場景：

• 電機控制：無刷直流電機、步進電機驅動，如工業伺服系統、機器人電機。

• 家電設備：空調壓縮機驅動、洗衣機電機 inverter 模塊。

• 通用逆變器：太陽能逆變器、UPS 不間斷電源、車載逆變器。

• 功率變換：DC-DC 轉換器、半橋 / 全橋拓撲功率電路。

五、設計小貼士：讓應用更穩定

功能框圖：包含 VCC UVLO & POR、VBS POR、HV Level Shifter、Latch、DeadTime & Control Logic、LV Level Shifter 等模塊23。

自舉電路設計：基本結構包含自舉電阻、自舉二極管和自舉電容；需根據 MOS 開啟柵極電荷、漏電等參數計算自舉電容大小，推薦使用低 ESR 陶瓷電容，可并聯電解電容優化性能；自舉電阻可抑制不良信號，自舉二極管需反向耐壓能力大于驅動電源電壓且選擇快恢復類型24252627。

柵極電阻選擇：與驅動芯片、MOSFET 及電路設計相關，工業無刷電機常用 200-120Ω，需平衡開關損耗和可靠性2829。

PCB 布局指南：靠近相關引腳放置低 ESR/ESL 電容；減小寄生電感；避免特定層重疊；優化散熱焊盤連接；合理設計接地連接和自舉電容充電路徑等

六、總結：國產替代，性能不打折

JSM2104STR 以 700V 高壓耐壓、寬邏輯兼容、可靠保護及優異驅動能力，成為 EG2104 的高性價比替代方案。無論是家電、工業電機還是逆變器設計，它都能提供穩定可靠的驅動支持，助力工程師縮短開發周期、降低成本。

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