麒麟9030突圍之路:采用中芯國際改進版7納米工藝
關鍵詞: 華為Mate 80 麒麟9030 中芯國際 N+3制程
近日,加拿大研究機構TechInsights發布報告稱,華為最新旗艦手機Mate 80 Pro Max所搭載的麒麟9030處理器,采用中芯國際(SMIC)改進版7納米工藝——“N+3”制程制造。
自2019年被美國列入“實體清單”以來,華為無法再通過臺積電等國際代工廠生產先進芯片,其高端手機業務一度陷入停滯。
然而,從2023年Mate 60系列搭載的麒麟9000s(基于中芯國際N+2工藝),到如今Mate 80系列的麒麟9030(N+3工藝),華為與中芯國際正以“小步快跑”的方式,逐步逼近國際主流水平。
TechInsights評價稱,麒麟9030代表了“中國迄今最為先進的本土芯片制造技術”,是一次“漸進但實質性的工藝突破”。
華為官方披露,Mate 80 Pro Max相較前代Mate 70 Pro+(搭載麒麟9020)整體性能提升約42%,接近翻倍。這一躍升遠超同制程節點通常所能帶來的優化幅度,引發業界對中芯國際工藝真實水平的重新評估。
TechInsights對麒麟9030 Pro芯片進行了結構和尺寸分析,揭示了一個重要信息。
報告指出:”分析發現,麒麟9030采用的是中芯國際的‘N+3’工藝,其先進程度高于麒麟9020。這標志著一次重大的代際跨越。此前,麒麟9020及更早的芯片采用的是中芯國際‘N+2’工藝,即7納米級制程節點。“
盡管仍無法與臺積電或三星的5納米甚至3納米工藝在晶體管密度、能效比上直接對標,但在設備受限、無法使用EUV光刻機的極端條件下,中芯國際通過多重曝光、工藝微調和設計協同優化等手段,實現了令人矚目的工程突破。
受限于美國出口管制,中芯國際無法采購阿斯麥(ASML)的極紫外(EUV)光刻機及應用材料(Applied Materials)等公司的尖端沉積與刻蝕設備。這導致其先進制程良品率偏低、制造成本高昂,產能也難以大規模擴張。
TechInsights指出,當前中芯國際的7納米級工藝在量產效率和經濟性上,尚難與國際巨頭競爭。但對華為而言,這已足夠支撐其高端產品線的戰略回歸——在“可用”與“自主”之間,優先確保供應鏈安全。
值得一提的是,TechInsights因頻繁披露中國半導體進展,已于2024年10月被中國商務部列入“不可靠實體清單”,理由是其行為“嚴重損害中國國家主權、安全和發展利益”。
責編:Jimmy.zhang