基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統和48 V服務器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設備。

ASFET是一種新型MOSFET，經過優(yōu)化，可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數，有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數，以實現全新性能水平。新款熱插拔ASFET將Nexperia的最新硅技術與銅夾片封裝結構相結合，顯著增強安全工作區(qū)(SOA)并最大限度縮小PCB面積。

以前，MOSFET深受Spirito效應的影響，導致SOA性能因在較高電壓下的熱不穩(wěn)定性而迅速下降。Nexperia堅固耐用的增強型SOA技術消除了“Spirito-knee”，與前幾代D2PAK相比，在50 V時SOA增加了166%。

另一項重要改進是數據手冊中添加了125 °C SOA特性。Nexperia國際產品高級營銷經理Mike Becker表示：“以前只在25 °C時指定SOA，這意味著在高溫環(huán)境中的操作，設計師必須進行降額。我們的新款熱插拔ASFET包括125 °C SOA規(guī)范，消除了該耗時的任務，并證實了Nexperia的器件即使在高溫下也具有出色的性能。”

全新PSMN4R2-80YSE（80 V，4.2 m）和PSMN4R8-100YSE（100 V，4.8 m）熱插拔ASFET采用兼容Power-SO8的LFPAK56E封裝。該封裝獨特的內部銅夾片結構提高了熱性能與電氣性能，同時大大減小了管腳尺寸。全新的LFPAK56E產品尺寸僅為5 mm x 6 mm x 1.1 mm，與上一代D2PAK相比，PCB管腳尺寸和器件高度分別縮小80%和75%。此外，器件的最大結溫為175 °C，符合IPC9592對電信和工業(yè)應用的規(guī)定。

Becker補充道：“另外一個優(yōu)點是在需要多個熱插拔MOSFET并聯使用的高功率應用中，使均流能力得到改善，從而提高了可靠性并降低了系統成本，Nexperia被廣泛認為是熱插拔MOSFET市場領導者。憑借這些最新的ASFET，我們再一次提高了標準。”

新款熱插拔ASFET是最新器件，將在Nexperia位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產廠制造，已準備好批量生產。