武漢光谷規劃新增10座晶圓廠
關鍵詞: 武漢光谷,化合物半導體,產業規模,技術創新,產業規劃
近日,武漢光谷化合物半導體產業交流會隆重舉行。
據會上披露,2025年光谷半導體產業規模將正式突破1000億元,武漢有望躋身北京、上海、深圳、無錫之后的“半導體第五城”。在這一千億規模中,硅基半導體與化合物半導體產業規模比例為4:1,化合物半導體已明確成為光谷半導體產業的第二發展曲線。
目前,光谷已形成以九峰山實驗室為核心、占地10平方公里的九峰山科技園,集聚長飛光纖、先導稀材等多家上下游企業,覆蓋“材料—設計—制造—封裝測試—設備”全產業鏈條。
在技術創新層面,九峰山實驗室作為核心創新極核,已實現多項全球領先突破——成功研發國際首創8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底,打破國際技術壟斷,同時推出全球首片8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓,為射頻通信、自動駕駛等前沿領域提供關鍵支撐。
在產業落地方面,投資120億元的先導稀材高端化合物半導體材料及芯片產業化基地,從簽約到實質開工僅4個月,預計2025年底部分投產,將填補光通信及激光產業所需半導體襯底空白;長飛先進武漢基地作為國內最大碳化硅芯片生產基地,已進入設備調試階段,即將實現量產通線,年產36萬片6英寸碳化硅晶圓。
按照規劃,在“十五五”期內,光谷將以九峰山實驗室等創新載體為圓心,全力建成存儲、化合物半導體兩大千億街區,預計新增10座晶圓廠,芯片總產能有望達到50萬片/月,進一步鞏固其在全國半導體產業格局中的重要地位。
責編:Momoz