隨著人工智能、高性能計算等終端應(yīng)用的爆發(fā)，先進封裝技術(shù)成為半導體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。據(jù)Yole數(shù)據(jù)預(yù)測，2024–2030年全球先進封裝市場年復合增長率（CAGR）將達9.5%，2030年市場規(guī)模有望突破794億美元。在這一背景下，鍵合設(shè)備作為先進封裝的核心工藝裝備，迎來前所未有的市場機遇。然而，當前全球鍵合設(shè)備市場由EV Group、SUSS MicroTec、Tokyo Electron等國際巨頭主導，2023年前五大廠商占據(jù)約86%的市場份額，我國在先進封裝設(shè)備尤其是HBM產(chǎn)業(yè)鏈中的國產(chǎn)化率仍不足5%。

面對這一局面，在政策扶持與產(chǎn)業(yè)升級的雙重驅(qū)動下，國內(nèi)半導體設(shè)備企業(yè)正加快技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化步伐，A股多家上市公司已在鍵合設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，與非上市力量形成合力，有望在國產(chǎn)替代與行業(yè)高景氣的雙重驅(qū)動下迎來發(fā)展良機。

A股上市公司積極布局，國產(chǎn)設(shè)備逐步突破

鍵合工藝是半導體后道封裝的關(guān)鍵步驟，主要包括芯片鍵合（Die Bonding）、引線鍵合（Wire Bonding）以及更先進的倒裝芯片鍵合（Flip Chip）、熱壓鍵合（TCB）與混合鍵合（Hybrid Bonding）等。隨著AI芯片、HBM（高帶寬存儲器）等產(chǎn)品對封裝密度、散熱性能和信號傳輸速度要求不斷提高，傳統(tǒng)鍵合技術(shù)逐步向TCB、混合鍵合等先進工藝演進。當芯片凸點間距縮小至10μm以下時，混合鍵合已成為必然選擇。

尤其是在HBM制造中，堆疊層數(shù)不斷增加，I/O密度持續(xù)提升，推動鍵合設(shè)備向更高精度、更小間距、更強散熱能力方向發(fā)展，HBM3的多層堆疊工藝更對熱壓鍵合（TCB）設(shè)備提出剛性需求。據(jù)華安證券測算，全球AI服務(wù)器帶動的鍵合設(shè)備市場規(guī)模將從2023年的約78億元增長至2025年的156億元，年復合增長率顯著，但國內(nèi)供給能力嚴重不足，尤其是先進封裝領(lǐng)域長期依賴進口。

政策端與市場端的共振為國產(chǎn)替代提供了絕佳窗口。我國先進封裝產(chǎn)業(yè)正處于產(chǎn)能建設(shè)加速期，國內(nèi)先進封裝龍頭企業(yè)持續(xù)加碼2.5D/3D封裝產(chǎn)線，而設(shè)備國產(chǎn)化率不足5%的現(xiàn)狀與“自主可控”戰(zhàn)略形成鮮明反差。這種供需錯配催生了巨大的進口替代空間，疊加鍵合設(shè)備單臺價值量高的特點，為A股相關(guān)企業(yè)開辟了高增長賽道。

在鍵合設(shè)備領(lǐng)域，多家A股上市公司已實現(xiàn)從研發(fā)到訂單落地的實質(zhì)性進展，覆蓋TCB、混合鍵合、臨時鍵合等多條技術(shù)路線：

拓荊科技：混合鍵合領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化突破

面向新的技術(shù)趨勢和市場需求，公司積極布局并成功進軍半導體設(shè)備的前沿技術(shù)領(lǐng)域，研發(fā)并退出了應(yīng)用于三維集成領(lǐng)域的先進鍵合設(shè)備，包括混合鍵合和熔融鍵合設(shè)備，及配套使用的量檢測設(shè)備，已經(jīng)在先進存儲、CIS等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)。

作為薄膜沉積設(shè)備龍頭，拓荊科技在混合鍵合領(lǐng)域的拓展具有天然技術(shù)協(xié)同優(yōu)勢。公司開發(fā)的Dione 300系列晶圓對晶圓（W2W）鍵合設(shè)備，可實現(xiàn)常溫下多材料表面的高精度鍵合，廣泛應(yīng)用于3D IC、先進封裝和CIS等高端領(lǐng)域。2023年該產(chǎn)品順利通過客戶驗證并獲得復購訂單，標志著其已突破商業(yè)化初期壁壘。Dione 300 eX則應(yīng)用用于W2W高精度混合鍵合，已發(fā)貨至客戶端驗證。配套推出的Pollux系列芯片對晶圓（D2W）鍵合表面預(yù)處理設(shè)備，形成“預(yù)處理+鍵合”的完整解決方案，在對準精度與鍵合強度等核心指標上接近國際一流水平。還推出了芯片對晶圓（C2W）混合鍵合設(shè)備Pleione 300，主要應(yīng)用于HBM、芯片三維集成領(lǐng)域，正在進行產(chǎn)業(yè)化驗證，上半年已獲得客戶訂單并出貨，驗證進展順利。依托在半導體設(shè)備領(lǐng)域積累的客戶資源，公司正快速切入頭部客戶供應(yīng)鏈，在混合鍵合這一最高技術(shù)壁壘領(lǐng)域搶占先機。

芯源微：臨時鍵合設(shè)備錨定Chiplet與HBM賽道

芯源微在鍵合設(shè)備領(lǐng)域的布局精準聚焦InFO、CoWoS、HBM等2.5D、3D等先進封裝核心需求，針對Chiplet技術(shù)解決方案，其推出的臨時鍵合機KS-C300-2TB及解鍵合機KS-S300-1DBL，專為Chiplet技術(shù)量身打造，兼容國內(nèi)外主流膠材工藝，可適配60μm及以上超大膜厚涂膠需求。今年上半年，公司臨時鍵合、解鍵合系列設(shè)備繼續(xù)獲得國內(nèi)多家客戶訂單， 進入逐步放量階段，成為其繼涂膠顯影設(shè)備后的第二增長曲線。

芯碁微裝：跨領(lǐng)域延伸切入鍵合關(guān)鍵環(huán)節(jié)

憑借在半導體光刻設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)積累，芯碁微裝成功將業(yè)務(wù)邊界拓展至晶圓鍵合領(lǐng)域。公司W(wǎng)B 8鍵合設(shè)備已覆蓋從對準、預(yù)鍵合到熱處理的全流程，支持陽極鍵合、熱壓鍵合等多種工藝，目前支持的最大晶圓尺寸為8英寸，采用模塊化設(shè)計，可運用于先進封裝、MEMS等多種場景用，并逐步向高端封裝場景滲透。公司通過與國內(nèi)頭部封裝企業(yè)的聯(lián)合開發(fā)，正快速突破客戶驗證壁壘，有望在HBM設(shè)備國產(chǎn)化浪潮中占據(jù)重要席位。

快克智能：聚焦TCB技術(shù)卡位先進封裝剛需

快克智能以封裝工藝設(shè)備為切入點，精準布局先進封裝核心環(huán)節(jié)。公司正在研發(fā)的TCB設(shè)備，專門針對HBM多層芯片堆疊等高端需求，預(yù)計2025年內(nèi)完成研發(fā)并啟動客戶打樣。公司正針對先進封裝領(lǐng)域核心工藝的TCB熱壓鍵合設(shè)備進行重點技術(shù)攻關(guān)，包括高精度焊頭和晶圓臺的機械設(shè)計、高精度倒裝運動機構(gòu)設(shè)計、高精度光學對位模組、超高速加熱控制、高精度閉環(huán)壓力控制系統(tǒng)等。

邁為股份：光伏設(shè)備龍頭的半導體跨界突破

邁為股份憑借精密制造領(lǐng)域的深厚積淀，在半導體鍵合設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)快速突破。公司聚焦半導體泛切割、2.5D/3D先進封裝，提供封裝工藝整體解決方案，成功開發(fā)了晶圓混合鍵合、晶圓臨時鍵合、D2W TCB鍵合等設(shè)備，不斷提升產(chǎn)品在精度、穩(wěn)定性、可靠性與智能化方面的水平，現(xiàn)已交付多家客戶。在光伏設(shè)備業(yè)務(wù)提供的現(xiàn)金流支撐下，邁為股份得以維持高強度研發(fā)投入，其設(shè)備已在國內(nèi)多家封裝企業(yè)完成測試，展現(xiàn)出“跨界者”的獨特競爭優(yōu)勢。

新興力量攻堅合力，加速研發(fā)和推進鍵合設(shè)備

在A股上市公司早鍵合設(shè)備領(lǐng)域不斷取得突破的同時，國內(nèi)眾多新興設(shè)備企業(yè)也攻勢迅猛，他們在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的突破呈現(xiàn)百花齊放的局面，走出了各具特色的道路，與上市公司一起形成了國產(chǎn)鍵合設(shè)備的“集團軍”優(yōu)勢。

華卓清科：面向HBM的高端裝備提供商

華卓清科面向HBM芯片制造的核心環(huán)節(jié)，自主研發(fā)出多款系列高端裝備，包括混合鍵合設(shè)備（UP-UMA?HB300）、熔融鍵合設(shè)備（UP-UMA?FB300）、芯粒鍵合設(shè)備（UP-D2W-HB）、激光剝離設(shè)備（UP-LLR-300）、激光退火設(shè)備（UP-DLA-300）。公司在高端裝備領(lǐng)域的技術(shù)突破，為國內(nèi)HBM產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展提供了關(guān)鍵設(shè)備支持，有望在國產(chǎn)替代中占據(jù)重要地位。

奧芯明：依托ASMPT構(gòu)建本土化鍵合設(shè)備方案

奧芯明作為ASMPT集團在中國設(shè)立的本土品牌，在HBM關(guān)鍵工藝上，正依托ASMPT成熟的FIREBIRD系列熱壓鍵合平臺，結(jié)合本地客戶在工藝開發(fā)階段的特殊需求，優(yōu)化助焊劑控制、鍵合力學參數(shù)與多芯片協(xié)同貼合策略。同時，奧芯明也在推動下一代混合鍵合技術(shù)在中國市場的量產(chǎn)導入條件，包括本地化設(shè)備調(diào)試團隊、本地供應(yīng)鏈整合，以及針對中試階段的快速響應(yīng)能力建設(shè)等。

芯慧聯(lián)在2024年11月6日順利出貨首臺D2W混合鍵合設(shè)備SIRIUS RT300及首臺W2W混合鍵合設(shè)備CANOPUS RT300。其3DSIXI晶圓混合鍵合設(shè)備適用于CIS、3D NAND、DRAM、先進封裝及其他市場，具有高度自動化和集成化的特點。芯慧聯(lián)通過與百傲化學等企業(yè)的合作，加速了鍵合設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化進程，為國內(nèi)鍵合設(shè)備市場注入了新的活力。

青禾晶元在鍵合設(shè)備這一細分賽道表現(xiàn)亮眼。其產(chǎn)品已實現(xiàn)國產(chǎn)替代并進入主流產(chǎn)線，今年發(fā)布的全球首臺獨立研發(fā)C2W&W2W雙模式混合鍵合設(shè)備SAB82CWW系列，已陸續(xù)完成交付并通過市場驗證。該設(shè)備在存儲器、Micro-LED顯示、CMOS圖像傳感器、光電集成等多個領(lǐng)域展現(xiàn)了廣泛的應(yīng)用前景。

艾科瑞思(ACCURACY)曾2023年發(fā)布D2W混合鍵合設(shè)備，成為首個被Yole報告收錄的中國D2W設(shè)備供應(yīng)商。

普萊信智能與客戶聯(lián)合開發(fā)了Loong系列TCB設(shè)備，兼容晶圓級（12英寸）、板級（620×620mm）封裝，支持HBM堆疊等全流程工藝。

這種多元主體協(xié)同發(fā)展的格局，構(gòu)建了從核心零部件到整機系統(tǒng)的國產(chǎn)化鏈條。上市公司憑借資本運作能力與量產(chǎn)經(jīng)驗，承接下游大規(guī)模訂單；非上市企業(yè)則聚焦前沿技術(shù)研發(fā)，突破技術(shù)封鎖。兩者形成的互補效應(yīng)，加速了國產(chǎn)鍵合設(shè)備的技術(shù)迭代與市場滲透，為應(yīng)對國際競爭提供了產(chǎn)業(yè)縱深。

盡管國產(chǎn)鍵合設(shè)備在技術(shù)與市場上取得初步突破，但仍面臨諸多挑戰(zhàn)。技術(shù)差距方面，在對準精度、吞吐量、工藝穩(wěn)定性等方面仍落后于國際領(lǐng)先水平；商業(yè)化應(yīng)用方面，半導體設(shè)備驗證周期長，客戶對國產(chǎn)設(shè)備持謹慎態(tài)度，商業(yè)化應(yīng)用進展緩慢；在供應(yīng)鏈方面，部分核心零部件仍依賴進口。隨著國家“十四五”半導體產(chǎn)業(yè)政策支持力度加大，以及AI、汽車電子、數(shù)據(jù)中心等下游需求持續(xù)爆發(fā)，相信國產(chǎn)鍵合設(shè)備企業(yè)有望在技術(shù)迭代與市場拓展中逐步縮小與國際巨頭的差距。

結(jié)語

盡管國產(chǎn)鍵合設(shè)備已取得階段性突破，但行業(yè)發(fā)展仍面臨多重挑戰(zhàn)。核心零部件方面，高精度導軌、真空系統(tǒng)等關(guān)鍵部件仍依賴進口，部分核心材料存在“卡脖子”風險；技術(shù)層面，混合鍵合的大面積無缺陷鍵合、納米級對準精度控制等難題仍需持續(xù)攻關(guān)；市場層面，國際巨頭通過專利布局形成技術(shù)壁壘，國內(nèi)企業(yè)需突破客戶驗證的“最后一公里”。

從發(fā)展前景看，國產(chǎn)鍵合設(shè)備正迎來政策、市場、技術(shù)的三重利好共振長期來看，隨著AI技術(shù)的持續(xù)演進與先進封裝的深度滲透，鍵合設(shè)備市場將保持高景氣度。A股上市公司通過差異化布局與持續(xù)研發(fā)，有望在未來3-5年內(nèi)實現(xiàn)從“單點突破”到“全面替代”的跨越，在全球半導體設(shè)備產(chǎn)業(yè)格局中占據(jù)重要一極。對于投資者而言，那些在混合鍵合、TCB等高端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破，并已進入頭部客戶供應(yīng)鏈的企業(yè)，將具備更強的成長確定性。