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JSM21844STR4A 700V帶SD功能高低側柵極驅動芯片

2025-08-29 來源: 作者:深圳市杰盛微半導體有限公司 原創文章
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關鍵詞: 高壓柵極驅動芯片 JSM21844STR 參數性能 應用場景 選型建議

在電力電子設計領域,IR21844 作為經典的高壓柵極驅動芯片,曾是眾多工程師的 “老朋友”。但隨著工業場景對電壓、電流、抗干擾能力的要求不斷提升,一款能全面替代且性能更優的芯片逐漸走進視野 —— 來自 杰盛微 的 JSM21844STR。從《JSM21844STR SOP-14.pdf》文檔中不難發現,這款 4A/700V 帶 SD 功能的高低側柵極驅動芯片,在核心參數、保護機制、應用適配性上都實現了突破,完美承接 IR21844 的應用場景,更能應對升級后的需求。


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一、產品概述


JSM21844S是高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側驅動系列芯片,邏輯地與功率地分離,可以更好的減少功率級噪聲對邏輯電路的干擾。通過外部電阻可以靈活配置死區時間。內部集成了高、低側欠壓鎖定電路、過壓鉗位電路等保護電路,具備大電流脈沖輸出能力,邏輯輸入電平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL邏輯輸出電平,輸出電流能力最大可達4A,其浮地通道最高工作電壓可達700V。可用于驅動N溝道高壓功率MOSFET/IGBT等器件。JSM21844S采用 SOP-14封裝,可以在-40℃至 125℃溫度范圍內工作


二、核心產品特性


  • 自舉工作的浮動通道

  • 最高工作電壓為 700V

  • 兼容 3.3V和 5V 輸入邏輯

  • 單輸(IN)入雙輸出邏輯

  • 關斷輸入邏輯可同時關閉高低側輸出

  • 死區時間可通過外部電阻(Rr)調節:

    -DT=400ns@RD-0

    -DT-5μS@RDT-200k Q

  • dV/dt 誤動作防止功能

  • 柵極驅動電壓:10V到20V

  • 高、低側欠壓鎖定電路

    --欠壓鎖定正向閱值8.9V

    --欠壓鎖定負向閱值8.2V

  • 高低側延時匹配

  • 邏輯地與功率地分離

  • 驅動電流能力:

    -拉電流/灌電流=4A/4A

  • 符合 RoSH 標準

    SOP-14 封裝


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三、先看硬實力:參數拉滿,覆蓋高壓場景核心需求


翻開 JSM21844STR 的 SOP 文檔,最直觀的感受就是 “參數扎實”。作為一款高壓高速驅動芯片,它的核心性能指標直接瞄準工業級應用的痛點:


1. 700V 浮地電壓,給系統多一層安全裕量

文檔明確標注,JSM21844STR 的浮地通道最高工作電壓可達 700V,遠超部分同類芯片的 600V 上限。這意味著在交流 / 直流電源、太陽能逆變器等高壓場景中,即使遇到電網電壓波動或瞬態尖峰,芯片也能穩定工作,避免因電壓不足導致的驅動失效。同時,低側供電電壓范圍支持 - 0.3V 至 25V,柵極驅動電壓覆蓋 10V-20V,兼容主流功率器件的柵極需求,無需額外設計電壓轉換電路。


2. 4A 拉灌電流,功率器件 “開關響應” 更快

驅動電流是決定功率器件開關速度的關鍵。JSM21844STR 的輸出拉電流與灌電流均達到 4A,相比傳統芯片 1-2A 的驅動能力,能更快速地為功率器件柵極充放電,減少開關損耗。文檔中動態參數顯示,其開啟傳輸延時典型值僅 550ns,關斷傳輸延時低至 150ns,配合高低側延時匹配設計(最大偏差≤600ns),可有效降低開關過程中的交叉損耗,特別適合高頻逆變器、高密度開關電源等對時序要求高的場景。


3. 外部電阻調死區,靈活適配不同功率器件

死區時間設置不當,容易導致高低側功率器件 “直通”,引發電源短路。JSM21844STR 創新性地支持通過外部電阻(RDT)調節死區時間:當 RDT=0Ω 時,死區時間為 400ns,適合高頻小功率場景;當 RDT=200kΩ 時,死區時間延長至 5μs,可適配 IGBT 等開關速度較慢的大功率器件。這種 “一芯多配” 的設計,讓工程師無需為不同項目更換芯片型號,只需調整外部電阻即可滿足需求。


四、應用場景:從電源到新能源,全領域覆蓋


JSM21844STR 的應用范圍之廣,在文檔 “應用范圍” 章節中體現得淋漓盡致。無論是傳統工業電源,還是新興新能源領域,它都能發揮優勢:


1. 工業電源:半橋 / 全橋轉換器的穩定搭檔

在交流和直流電源的半橋、全橋轉換器中,JSM21844STR 的 700V 高壓能力與 4A 驅動能力,可適配大功率變換需求。例如服務器、電信基站的高密度開關電源,需要在有限空間內實現高效供電,其低靜態電流(VCC 靜態電流典型值 200μA)與高集成度,能減少電源模塊體積,提升功率密度。


2. 新能源:太陽能逆變器與 UPS 的可靠選擇

太陽能逆變器需要在戶外高低溫環境下長期工作,JSM21844STR 的工作溫度范圍覆蓋 - 40℃至 125℃,且符合 RoSH 標準,能適應惡劣環境。在 UPS(不間斷電源)中,其快速關斷響應(SD 信號傳播延時典型值 150ns)可在電網斷電瞬間快速切換備用電源,避免負載斷電。


3. 電機驅動:通用逆變器的高效解決方案

電機驅動器中,功率器件的開關頻率直接影響電機轉速與噪音。JSM21844STR 的低開關延時與死區可調設計,可優化電機控制波形,減少轉矩脈動,特別適合工業電機、家電電機等場景的逆變器設計。


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五、引腳功能描述


極限工作范圍

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推薦工作范圍

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六、選型建議:這 3 類場景優先選 JSM21844STR


  • 高壓場景:當系統工作電壓超過 600V,需要更高電壓裕量時,700V 的浮地電壓能避免瞬態過壓損壞;

  • 大電流驅動場景:驅動大封裝 MOSFET/IGBT 時,4A 拉灌電流可保證器件快速開關,降低發熱;

  • 抗干擾需求高的場景:工業現場、電機附近等噪聲復雜環境,邏輯地與功率地分離設計能提升系統穩定性。

通過對替代 IR21844 的芯片在性能、功能以及應用方面的深入分析,我們可以清晰地看到,這些替代芯片在繼承 IR21844 優點的基礎上,實現了全方位的性能提升和功能優化。它們憑借更高的電壓能力、更強的電流驅動能力、更精準靈活的死區時間調節、出色的抗干擾能力、完善的保護功能以及廣泛的應用適應性,為電力電子系統的設計和優化提供了更優的解決方案。對于工程師們來說,在新的項目設計或現有系統的升級改造中,不妨考慮這些性能更優的替代芯片,它們將為您的系統帶來更高的可靠性、更高的效率以及更廣闊的應用前景。



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