Vishay推出先進的30 V N溝道MOSFET，進一步提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效
2021-05-26
來源：21IC電子網(wǎng)
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賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年5月25日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出多功能新型30 V n溝道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下導通電阻僅為0.95 mW，比上一代產(chǎn)品低5 %。此外， 4.5 V條件下器件導通電阻為1.5 mW，而4.5 V條件下導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應用重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)為29.8 mW*nC，是市場上優(yōu)值系數(shù)最低的產(chǎn)品之一。
SiSS52DN的FOM比上一代器件低29 %，從而降低導通和開關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應用的能源。
SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、開關(guān)柜拓撲結(jié)構(gòu)、OR-ring FET低邊開關(guān)，以及服務器、通信和RF設備電源的負載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓撲結(jié)構(gòu)的性能，簡化設計人員兩種電路的器件選擇。器件經(jīng)過100 % RG和UIS測試，符合RoHS標準，無鹵素。
