眾所周知，在芯片制造領(lǐng)域，我們落后于全球頂尖水平，同時(shí)上游的材料、設(shè)備也高度依賴進(jìn)口，處境很難。

半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，美國(guó)、日本、歐洲占全球80%以上的份額。半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，日本、美國(guó)占90%以上的份額。

也正因?yàn)槿绱耍試?guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈需要不斷的努力突破，實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，否則就會(huì)一直卡脖子。

但國(guó)產(chǎn)替代，不僅僅是市場(chǎng)問(wèn)題，還有著技術(shù)問(wèn)題，專利問(wèn)題等等，畢竟前面的企業(yè)，已經(jīng)通過(guò)各種專利、技術(shù)等，將整個(gè)生態(tài)體系控制在自己手中。

在這樣的情況之下， 國(guó)產(chǎn)要么在原有的技術(shù)上突破，要么換道超車，繞開這些技術(shù)封鎖。

而近日，有消息傳出，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的光刻膠體系有了突破，繞開了日本的技術(shù)封鎖。

九峰山實(shí)驗(yàn)室、華中科技大學(xué)組成聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)，突破了“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)的化學(xué)放大光刻膠”技術(shù)，這種技術(shù)和現(xiàn)有的光刻膠技術(shù)有所不同，通過(guò)巧妙的化學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，性能優(yōu)于大多數(shù)商用光刻膠。

目前該技術(shù)體系已經(jīng)在產(chǎn)線上完成了初步工藝驗(yàn)證，并同步完成了各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)的檢測(cè)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從技術(shù)開發(fā)到成果轉(zhuǎn)化的全鏈條打通，也就是說(shuō)離量產(chǎn)已經(jīng)不遠(yuǎn)了。

要知道光刻膠目前對(duì)應(yīng)芯片工藝，分為g線、i線、KrF、ArF、EUV這么5種。而國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)，還處于ArF階段，最多只達(dá)到45nm階段。

像ArFi這種浸潤(rùn)式光刻膠，EUV光刻膠，我們完全無(wú)法生產(chǎn)，只能從日本進(jìn)口，整個(gè)光刻膠市場(chǎng)，總體國(guó)產(chǎn)率還不到10%。

所以這個(gè)突破實(shí)在是太有意義了，以往我們主要按照日本的路在足，就是不斷的進(jìn)行配方調(diào)試，將成百上千的樹脂、光酸和添加劑進(jìn)行排列組合，不斷的嘗試、驗(yàn)證，調(diào)整。

但新的體系，雖然也要如此進(jìn)行排列組合，要不斷的進(jìn)行調(diào)整，但這種技術(shù)能夠大大的減少這個(gè)時(shí)間，加快進(jìn)度，并能夠獲得更好的效果，同時(shí)據(jù)稱這種技術(shù)也能同時(shí)為 EUV 光刻膠的著力開發(fā)做技術(shù)儲(chǔ)備。