5 月 25 日消息，網(wǎng)信辦 5 月 21 日宣布：由于美光公司在華銷售的產(chǎn)品未通過網(wǎng)絡(luò)安全審查，故禁止國內(nèi)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施的運營者采購美光公司產(chǎn)品。因此，中國存儲半導(dǎo)體市場空出了相當(dāng)大的一部分份額。

在這種情況下，各方面都在對這部分市場份額虎視眈眈。據(jù)稱，韓國政府已向美國進行協(xié)商，要求白宮方面允許三星、SK 將在中國的半導(dǎo)體產(chǎn)量提高到 10%。同時，一位美國立法者堅持要求韓國公司不要填補美光因制裁而留下的市場空白，意在阻止三星電子和 SK 海力士從中獲利。

據(jù)美國聯(lián)邦公報，韓國政府于 3 月 21 日就美國商務(wù)部公布的《半導(dǎo)體法》“護欄條款”細節(jié)提交了官方意見。在提交意見之前，它與韓國芯片制造商進行了密切協(xié)商，要求美國政府將接受補貼的韓國公司提高其在中國半導(dǎo)體生產(chǎn)能力的限額提高到 10%。

在此背景下，韓國還要求美國政府明確“技術(shù)補償條款”的限制范圍。簡單來說，“技術(shù)補償條款”規(guī)定：如果與中國等受關(guān)注的實體開展聯(lián)合研究活動，并向其提供技術(shù)許可，就必須返還補貼。

美國商務(wù)部提出的“護欄規(guī)則”要求，如果獲得政府補貼的公司在未來 10 年內(nèi)參與實質(zhì)性擴大中國等受關(guān)注的外國實體的半導(dǎo)體生產(chǎn)能力的重大交易，就必須全額退還補貼。

具體來說，先進半導(dǎo)體的實際產(chǎn)能限制在 5%，傳統(tǒng)半導(dǎo)體產(chǎn)能為 10%。目前，半導(dǎo)體業(yè)界一般將 12 ~ 14nm 制程的 DRAM 和 170 層以上的 3D NAND 閃存稱為先進芯片，而三星電子和 SK 海力士的工廠正在生產(chǎn)這兩種產(chǎn)品。

對此，韓國政府要求將先進半導(dǎo)體產(chǎn)能實際擴大標(biāo)準(zhǔn)從 5% 提高到 10%。

韓國政府還要求美國政府明確“技術(shù)補償條款”的范圍?！凹夹g(shù)補償條款”是指：與中國企業(yè)進行共同研究或向中國企業(yè)提供技術(shù)許可時，必須返還補貼。此外，韓國政府還要求美國政府在審查過程中不要要求企業(yè)提供敏感的技術(shù)及機密信息和數(shù)據(jù)，并與半導(dǎo)體企業(yè)簽署保密協(xié)議。