2022年11月23日——希科半導體科技（蘇州）有限公司于蘇州納米科技城召開碳化硅（SiC）外延片投產新聞發(fā)布會。會上公司創(chuàng)始人、總經理呂立平宣布公司用國產襯底和國產外延設備生產的6英寸SiC外延片，已于近期通過兩大權威機構的雙重檢測，具備媲美國際大廠SiC外延片的品質，為我國碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個毫無爭議的新紀錄，就此希科半導體碳化硅外延片正式投產!

蘇州工業(yè)園區(qū)黨工委委員、管委會副主任倪乾，蘇州納米城科技發(fā)展有限公司董事、總裁張淑梅、中國電子材料協(xié)會副理事長袁桐，南京大學教授、固體微機構物理國家重點實驗室主任陳延峰、中國冶金自動化研究設計院教授級高級工程師高達，以及來自碳化硅領域的產業(yè)投資人、客戶以及諸多產業(yè)上下游代表共同應邀出席了當天的發(fā)布會，共同見證了中國碳化硅產業(yè)界這一歷史時刻。

希科半導體成立于2021年8月，坐落于蘇州納米城III區(qū)第三代半導體產業(yè)園，是一家致力于發(fā)展第三代半導體碳化硅(SiC)材料的高科技公司。作為蘇州納米城引入的第三代半導體重要項目，其團隊擁有多年的碳化硅外延晶片(SiC Epitaxy)開發(fā)和量產制造經驗，憑借業(yè)內最先進的外延工藝技術和最先進的測試表征設備，秉持質量第一誠信為本的理念為客戶提供滿足行業(yè)對低缺陷率和均勻性要求的6吋n型和p型摻雜外延晶片材料，是國內最早從事SiC技術研發(fā)和產業(yè)化的技術人才，擁有多項發(fā)明專利和實用新型專利。

當前，半導體設備成為中國高科技產業(yè)國產化的“卡脖子”環(huán)節(jié)之一，如何實現(xiàn)關鍵技術突破，加速國產化替代進程，成為近年來中國半導體行業(yè)面臨的重要課題，此次希科半導體在SiC外延片上實現(xiàn)純國產研發(fā)方面的突破性進展，有力提升了國內企業(yè)振興國產半導體產業(yè)的信心，也意味著我國第三代半導體產業(yè)鏈綜合實力的進一步提升。


碳化硅性能優(yōu)勢

碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求，當前碳化硅襯底已應用于功率器件及功率器件。碳化硅器件優(yōu)點如下：

（1）耐高壓。擊穿電場強度大，是硅的 10 倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。所以在實際應用過程中，與硅基相比可以設計成更小的體積，約為硅基器件的 1/10。

（2）耐高溫。半導體器件在較高的溫度下，會產生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。禁帶寬度越大，器件的極限工作溫度越高。碳化硅的禁帶接近硅的 3 倍，可以保證碳化硅器件在高溫條件下工作的可靠性。硅器件的極限工作溫度一般不能超過 300℃，而碳化硅器件的極限工作溫度可以達到 600℃以上。同時，碳化硅的熱導率比硅更高，高熱導率有助于碳化硅器件的散熱，在同樣的輸出功率下保持更低的溫度，碳化硅器件也因此對散熱的設計要求更低，有助于實現(xiàn)設備的小型化。

（3）實現(xiàn)高頻的性能。碳化硅的飽和電子漂移速率大，是硅的 2 倍，這決定了碳化硅器件可以實現(xiàn)更高的工作頻率和更高的功率密度。同時碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉換頻率下，400V 電壓時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的 29%-60%之間；800V 時，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的 30%-50%之間。因此碳化硅器件的能量損失更小。


碳化硅外延

當前外延主要以 4 英寸及 6 英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當前 6 英寸碳化硅襯底已經實現(xiàn)商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從 4 英寸向 6 英寸過渡。在未來幾年里，大尺寸碳化硅外延片占比會逐年遞增。由于 4 英寸碳化硅襯底及外延的技術已經日趨成熟，因此，4 英寸碳化硅外延晶片已不存在供給短缺的問題，其未來降價空間有限。此外，雖然當前國際先進廠商已經研發(fā)出 8 英寸碳化硅襯底，但其進入碳化硅功率器件制造市場將是一個漫長的過程，隨著 8 英寸碳化硅外延技術的逐漸成熟，未來可能會出現(xiàn) 8 英寸碳化硅功率器件生產線。

碳化硅外延主要解決外延晶片均勻性控制和外延缺陷控制兩大問題。

（1）外延晶片均勻性控制方面，由于外延片尺寸的增大往往會伴隨外延晶片均勻性的下降，因此大尺寸外延晶片均勻性的控制是提高器件良率和可靠性、進而降低成本的關鍵。

（2）外延缺陷控制問題。基晶面位錯（BPD）是影響碳化硅雙極型功率器件穩(wěn)定 性的一個重要結晶缺陷，不斷降低 BPD 密度是外延生長技術發(fā)展的主要方向。由于物理氣象傳輸法（PVT）制 備碳化硅襯底的 BPD 密度較高，外延層中對器件有害的 BPD 多來自于襯底中的 BPD 向外延層的貫穿。因此，提高襯底結晶質量可有效降低外延層 BPD 位錯密度。

隨著碳化硅器件的不斷應用，器件尺寸及通流能力不斷增加， 對結晶缺陷密度的要求也不斷增加，在未來技術的進步下，碳化硅外延片結晶缺陷密度會隨之不斷下降。

作為新一代通信、新能源汽車、高速列車等新興戰(zhàn)略產業(yè)的核心材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體在《“十四五”規(guī)劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點。

碳化硅6英寸晶圓產能處于飛速擴張期，同時以Wolfspeed、意法半導體為代表的頭部廠商已經達產8吋碳化硅晶圓。國內廠商如三安、山東天岳、天科合達等廠商主要以6吋晶圓為主，相關項目20余個，投資逾300億元；國產8吋晶圓技術突破也正迎頭趕上。得益于電動汽車及充電基礎設施的發(fā)展，預計2022-2025年間碳化硅器件的市場增長率將達30%。襯底未來幾年內依然是碳化硅器件的主要產能限制因素。

氮化鎵器件目前主要由快充功率市場和5G宏基站和毫米波小基站射頻市場驅動。GaN射頻市場主要由Macom、Intel等占據(jù)，功率市場有英飛凌、Transphorm等。近來年，國內企業(yè)如三安、英諾賽科、海威華芯等也在積極布局氮化鎵項目。另外，氮化鎵激光器件快速發(fā)展。GaN半導體激光器在光刻、存儲、軍事、醫(yī)療等領域均有應用，目前年出貨量在3億支左右，并且近期以20%的年增長率進行增長，預計2026年市場總量達到15億美元。