圖源：路透社截圖

白宮：長江存儲對美公司構成“直接威脅”

路透社援引知情人士透露，美國官員將禁止向中國出口用于制造128層以上 NAND芯片的設備。目前生產(chǎn)該類芯片設備的美國大廠包括應用材料( Applied Materials)和泛林集團(LAM Research) 等廠商，對此知情人表示相關計劃正在討論階段，還沒有任何的法案起草程序。

如果該限制計劃獲得通過，意味著限制范圍將擴大到包括禁止將美國芯片制造設備運往在中國大陸境內(nèi)的NAND Flash工廠，其中也包括三星和SK海力士在中國大陸的工廠。據(jù)出口管制專家稱這將標志著美國首次通過出口管制，來針對中國生產(chǎn)沒有專門軍事用途的存儲芯片。

報道強調(diào)，成立于2016年的長江存儲是NAND Flash閃存制造領域的后起之秀。資料也顯示，長江存儲早已成功量產(chǎn)128層NAND Flash，并正在積極的研發(fā)232層NAND Flash，有傳聞稱最快可能今年年底量產(chǎn)。

圖：長江存儲芯片

美國白宮曾在2021年6月的一份報告中寫道，長江存儲獲得了約240億美元的中國補貼，長江存儲的擴張和低價產(chǎn)品對美光和西部數(shù)據(jù)構成“直接威脅”。根據(jù)市場咨詢與調(diào)查機構Yole Intelligence 的資料顯示，西部數(shù)據(jù)與美光總計約占全球NAND Flash閃存產(chǎn)量25%的份額，長江存儲約占5%，較一年前幾乎翻倍成長。

因此未來一但美國禁止出口生產(chǎn)128層堆疊以上NAND Flash閃存芯片的生產(chǎn)設備給長江存儲，長江存儲可能將因此而受困。據(jù)美國商務部稱，長江存儲已在接受商務部調(diào)查。

美國打壓中國芯片行業(yè)升級

美國負責出口管制的商務部發(fā)言人表示。“拜登政府專注于損害（中國）制造先進半導體的努力，以解決美國的重大國家安全風險。”此前美政府已禁止企業(yè)在未獲許可時，向部分中國芯片制造商出售可制造10nm或更先進芯片的大多數(shù)設備。日前據(jù)彭博社報道，美國新規(guī)定將禁供范圍擴大至14nm。

彭博社援引知情人士消息稱，在過去兩周左右的時間里，所有美國設備制造商都收到了美國商務部的信件，要求它們不得向中國供應用于制造14納米或以下芯片的設備。

對此美國兩家芯片設備公司泛林半導體（Lam Research）和科磊（KLA）已證實新規(guī)定將對中國的禁供范圍擴大至14nm，并涵蓋了眾多行業(yè)中更廣泛的半導體產(chǎn)品，或波及更多公司。