- 又一家國產(chǎn)先進NAND閃存即將量產(chǎn)！工藝：19納米
- 緊追 SK 海力士，三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存
- 消息稱 SK 海力士正開發(fā)基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
- TrendForce 預計 NAND 閃存需求明年增長 28.9%，供給增長 32%
- SK 海力士介紹 238 層 4D NAND 閃存：傳輸速度提升 50%，能耗減少 21%
- SK 海力士開發(fā)出 238 層 NAND 閃存芯片，明年上半年量產(chǎn)
- SK 海力士擬年內(nèi)試產(chǎn) 238 層 NAND 閃存
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- 美光宣布全球首款 232 層 TLC NAND 芯片出貨
- 2022年全球NAND閃存市場現(xiàn)狀及應用分布預測分析（圖）
